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资料编号:162712
 
资料名称:BC556A
 
文件大小: 44.87K
   
说明
 
介绍:
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BC556A的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
) 有效, 如果 导联 是 保留 在 环境 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 案例
gültig, wenn 模具 anschlußdrähte 入点 2 mm abstand 冯 gehäuse auf umgebungstemperatur gehalten 沃登
8
01.11.2003
bc 556 ... bc 559 概述 目的 晶体管
pnp si-外延
PlanarTransistors pnp
电源 耗散 – verlustleistung 500 mw
塑料 案例 至-92
Kunststoffgehäuse (10d3)
重量 约. – gewicht ca. 0.18 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
1 = c 2 = b 3 = e?
标准 包装 录音 入点 弹药 空调组件
标准 lieferform gegurtet 入点 弹药-空调组件
最大值 额定值 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bc 556 bc 557 bc 558/559
收集器-发射器-电压 b 打开 - v
CE0
65 v 45 v 30 v
收集器-底座-电压 e? 打开 - v
CB0
80 v 50 v 30 v
发射器-底座-电压 c 打开 - v
EB0
5 v
电源 耗散 – verlustleistung p
tot
500 mw
1
)
收集器 电流 – kollektorstrom (直流) - 我
c
100 ma
接合点 温度 – sperrschichttemperatur t
j
150
c
存储 温度 – lagerungstemperatur t
s
- 55…+ 150
c
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
集团 一个 集团 b 集团 c
直流 电流 增益 – kollektor-依据-stromverhältnis
- v
ce
= 5 v, - 我
c
= 2 ma h
110...220 200...460 420...800
h-参数 在 - v
ce
= 5v, - 我
c
= 2 ma, f = 1 khz
小 信号 电流 增益
Stromverstärkung
h
典型值 220 典型值 330 典型值 600
输入 阻抗 – eingangsimpedanz h
ie
1.6...4.5 k
3.2...8.5 k
6...15 k
输出 admittance – ausg.-leitwert h
oe
18 &指示灯; 30
s 30 &指示灯; 60
s 60 &指示灯; 110
s
反向 电压 转让 比率
Spannungsrückwirkung
h
re
典型值.1.5 *10
-4
典型值 2 *10
-4
典型值 3 *10
-4
收集器 饱和度 电压 – kollektor-sättigungsspg.
- 我
c
= 100 ma, - 我
B
= 5 ma -v
CEsat
300 mv
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