1
) 已安装 开启 p.c. 板 与 3 mm
2
铜 衬垫 在 每个 终端
蒙太奇 auf leiterplatte 麻省理工学院 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 已测试 与 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen 麻省理工学院 impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
12
01.11.2003
12
3
类型
代码
2.1
±0.1
2
±0.1
1
±0.1
1.25
±0.1
0.3
1.3
bc 846w ... bc 850w 概述 目的 晶体管
npn
表面 安装 si-外延
PlanarTransistors
si-外延 planartransistoren
für 模具 oberflächenmontage
npn
电源 耗散 – verlustleistung 200 mw
塑料 案例 sot-323
Kunststoffgehäuse
重量 约. – gewicht ca. 0.01 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
尺寸 / maße 入点 mm
1 = b 2 = e? 3 = c
标准 包装 录音 和 卷线
标准 lieferform gegurtet auf 罗尔
最大值 额定值 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bc 846w bc 847w
bc 850w
bc 848w
bc 849w
收集器-发射器-电压 b 打开 v
CE0
65 v 45 v 30 v
收集器-底座-电压 e? 打开 v
CB0
80 v 50 v 30 v
发射器-底座-电压 c 打开 v
EB0
6 v 5 v
电源 耗散 – verlustleistung p
tot
200 mw
1
)
收集器 电流 – kollektorstrom (直流) 我
c
100 ma
峰值 收集器 电流 – kollektor-spitzenstrom 我
厘米
200 ma
峰值 底座 电流 – 依据-spitzenstrom 我
BM
200 ma
峰值 发射器 电流 – 发射器-spitzenstrom - 我
em
200 ma
接合点 温度 – sperrschichttemperatur t
j
150
c
存储 温度 – lagerungstemperatur t
s
- 65…+ 150
c
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
集团 一个 集团 b 集团 c
直流 电流 增益 – kollektor-依据-stromverhältnis
2
)
v
ce
= 5 v, 我
c
= 10
啊
铁
典型值 90 典型值 150 典型值 270
v
ce
= 5 v, 我
c
= 2 ma h
铁
110...220 200...450 420...800
h-参数 在 v
ce
= 5v, 我
c
= 2 ma, f = 1 khz
小 信号 电流 增益 – stromverstärkung h
铁
典型值 220 典型值 330 典型值 600
输入 阻抗 – eingangs-impedanz h
ie
1.6...4.5 k
3.2...8.5 k
6...15 k
输出 admittance – ausgangs-leitwert h
oe
18 &指示灯; 30
s 30 &指示灯; 60
s 60 &指示灯; 110
s
反向 电压 转让 比率
Spannungsrückwirkung
h
re
典型值.1.5 *10
-4
典型值 2 *10
-4
典型值 3 *10
-4
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