1
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
12
01.11.2003
12
3
类型
代号
2.1
±0.1
2
±0.1
1
±0.1
1.25
±0.1
0.3
1.3
bc 846w ... bc 850w 一般 目的 晶体管
NPN
表面 挂载 si-外延的
PlanarTransistors
si-外延的 planartransistoren
für 消逝 oberflächenmontage
NPN
电源 消耗 – verlustleistung 200 mw
塑料 情况 sot-323
Kunststoffgehäuse
重量 approx. – gewicht ca. 0.01 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
维度 / maße 在 mm
1 = b 2 = e 3 = c
标准 包装 带子系紧 和 卷盘
标准 lieferform gegurtet auf rolle
最大 比率 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bc 846w bc 847w
bc 850w
bc 848w
bc 849w
集电级-发射级-电压 b 打开 V
CE0
65 v 45 v 30 v
集电级-根基-电压 e 打开 V
CB0
80 v 50 v 30 v
发射级-根基-电压 c 打开 V
EB0
6 v 5 v
电源 消耗 – verlustleistung P
tot
200 mw
1
)
集电级 电流 – kollektorstrom (直流) I
C
100 毫安
顶峰 集电级 电流 – kollektor-spitzenstrom I
CM
200 毫安
顶峰 根基 电流 – 基准-spitzenstrom I
BM
200 毫安
顶峰 发射级 电流 – 发射级-spitzenstrom - i
EM
200 毫安
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150
C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
- 65…+ 150
C
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
组 一个 组 b 组 c
直流 电流 增益 – kollektor-基准-stromverhältnis
2
)
V
CE
= 5 v, i
C
= 10
Ah
FE
典型值 90 典型值 150 典型值 270
V
CE
= 5 v, i
C
= 2 毫安 h
FE
110...220 200...450 420...800
h-参数 在 v
CE
= 5v, i
C
= 2 毫安, f = 1 khz
小 信号 电流 增益 – stromverstärkung h
fe
典型值 220 典型值 330 典型值 600
输入 阻抗 – eingangs-impedanz h
ie
1.6...4.5 k
3.2...8.5 k
6...15 k
输出 admittance – ausgangs-leitwert h
oe
18 < 30
S 30 < 60
S 60 < 110
S
反转 电压 转移 比率
Spannungsrückwirkung
h
re
典型值.1.5 *10
-4
典型值 2 *10
-4
典型值 3 *10
-4
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