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资料编号:163586
 
资料名称:BCP53T1
 
文件大小: 99.4K
   
说明
 
介绍:
MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
 
 


: 点此下载
 
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浏览型号BCP53T1的Datasheet PDF文件第2页
2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
pnp
外延 晶体管
这个pnp silicon e?pitaxial transisto右 我s designed fo右 useudio 一个mplifier
应用程序.这 设备 是 已安置 入点 这 sot-223 包装 哪个 是 设计 用于
中 电源 表面 安装 应用程序.
高 电流: 1.5 安培数
npn 补码 是 bcp56
这 sot-223 包装 可以 是 焊接 使用 波浪 或 回流. 这 成型 导联
吸收 热 应力 期间 焊接, 消除 这 可能性 的 损伤 至
这 模具
可用 入点 12 mm 胶带 和 卷轴
使用 bcp53t1 至 订单 这 7 英寸/1000 单位 卷轴.
使用 bcp53t3 至 订单 这 13 英寸/4000 单位 卷轴.
最大值 额定值
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
评级 符号 单位
集电极-发射极 电压 v
CEO
80 Vdc
收集器-底座 电压 v
CBO
–100 Vdc
发射器-底座 电压 v
EBO
5.0 Vdc
收集器 电流
c
1.5 adc
合计 电源 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
(1)
降额 以上 25
°
c
p
d
1.5
12
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 温度 范围 t
j
, t
stg
65 至 150
°
c
设备 标记
热 特性
特性 符号 最大值 单位
电阻 — 交叉点到环境 (表面 已安装)
θ
ja
83.3
°
c/w
铅 t温度 用于 焊接, 0.0625
从 案例
时间 入点 焊料 浴缸
t
l
260
10
°
c
1. 设备已安装 开启 一个 玻璃 环氧树脂 已打印 电路 板 1.575 入点. x 1.575 入点. x 0.059 in.; 安装 衬垫 用于 这 收集器 铅 最小值 0.93 sq. in.
热 包层 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 bcp53t1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
摩托罗拉, 公司 1996
BCP53T1
中 电源
pnp 硅
高 电流
晶体管
表面 安装
摩托罗拉 首选 设备
案例 318e-04, 风格 1
至-261aa
1
2
3
4
收集器 2,4
底座
1
发射器 3
rev 1
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