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资料编号:164453
 
资料名称:BCV26
 
文件大小: 169.45K
   
说明
 
介绍:
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BCV26的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
) 已安装 开启 p.c. 板 与 3 mm
2
铜 衬垫 在 每个 终端
蒙太奇 auf leiterplatte 麻省理工学院 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 已测试 与 脉冲 t
p
= 300
:
s, 职责 循环
#
2% – gemessen 麻省理工学院 impulsen t
p
= 300
:
s, schaltverhältnis
#
2%
6
2.5
最大值
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
Type
代码
1.9
bcv26, bcv46 darlington 晶体管
pnp 表面 安装 si-外延
PlanarTransistors pnp
si-外延 planartransistoren
für 模具 oberflächenmontage
电源 耗散 – verlustleistung 250 mw
塑料 案例 sot-23
Kunststoffgehäuse (至-236)
重量 约. – gewicht ca. 0.01 g
塑料 材料 有 ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
尺寸 / maße 入点 mm
1 = b1 2 = e2 3 = c
标准 包装 录音 和 卷线
标准 lieferform gegurtet auf 罗尔
最大值 额定值 (t
一个
= 25
/
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
/
c)
BCV26 BCV46
收集器-发射器-电压 v
= 0 - v
消费电子展
30 v 60 v
收集器-底座-电压 e? 打开 - v
CB0
40 v 80 v
发射器-底座-电压 c 打开 - v
EB0
10 v
电源 耗散 – verlustleistung p
tot
250 mw
1
)
收集器 电流 – kollektorstrom (直流) - 我
c
500 ma
峰值 收集器 电流 – kollektor-spitzenstrom - 我
厘米
800 ma
底座 电流 – basisstrom (直流) - 我
B
100 ma
接合点 温度 – sperrschichttemperatur t
j
150
/
c
存储 温度 – lagerungstemperatur t
s
- 65…+ 150
/
c
特性 (t
j
= 25
/
c) kennwerte (t
j
= 25
/
c)
最小值 典型值 最大值
收集器-底座 截止 电流 – kollektorreststrom
e?
= 0, - v
cb
= 30 v
e?
= 0, - v
cb
= 60 v
BCV26
BCV46
- 我
CB0
- 我
CB0
100 不适用
100 不适用
发射器-底座 截止 电流 – emitterreststrom
c
= 0, - v
eb
= 10 v - 我
EB0
100 不适用
收集器 饱和度 电压. – kollektor-sättigungsspg.
2
)
- 我
c
= 100 ma, - 我
B
= 0.1 ma - v
CEsat
1 v
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