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资料编号:164495
 
资料名称:BCW29LT1
 
文件大小: 451.61K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 收音机 公司, 有限公司.
m7–1/6
1
3
2
概述 目的 晶体管
pnp 硅
最大值 额定值
评级 符号 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
–32 Vdc
collector–base 电压 v
CBO
–32 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
–5.0 Vdc
收集器 电流 — 连续
c
–100 mAdc
热 特性
特性 符号 最大值 单位
p
d
225 mw
t
一个
= 25°c
降额 以上 25°c
1.8 mw/°c
热 电阻, 接合点 至 环境
θ
ja
556 °c/w
合计 设备 耗散
p
d
300 mw
氧化铝 基材, (2) t
一个
= 25°c
降额 以上 25°c
2.4 mw/°c
热 电阻, 接合点 至 环境
θ
ja
417 °c/w
接合点 和 存储 温度 t
j
, t
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
bcw29lt1 = c1; bcw30lt1 = c2
电气 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明.)
特性 符号 最小 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= –2.0madc, 我
e?
= 0 )
v
(br)ceo
–32 Vdc
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= –100
µ
adc, v
eb
= 0)
v
(br)消费电子展
–32 Vdc
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= –10
µ
adc, 我
c
= 0)
v
(br)cbo
–32 Vdc
emitter–base 击穿 电压
(我
e?
= –10
µ
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
–5.0 Vdc
收集器 截止 电流
CBO
(v
cb
= –32 vdc, 我
e?
= 0 ) –100 nAdc
(v
cb
= –32 vdc, 我
e?
= 0, t
一个
= 100°c) –10
µ
adc
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. 氧化铝 = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
BCW29LT1
BCW30LT1
1
发射器
3
收集器
2
底座
案例 318–08, 风格 6
sot–23 (to–236ab)
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