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资料编号:164712
 
资料名称:BCW66F
 
文件大小: 181.85K
   
说明
 
介绍:
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
 
 


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bcw65, bcw66
1 jul-10-2001
npn 硅 af 晶体管
用于 概述 af 应用程序
高 电流 增益
低 集电极-发射极 饱和度 电压
互补 类型: bcw67, bcw68 (pnp)
1
2
3
VPS05161
类型 标记 管脚 配置 包装
BCW65A
BCW65B
BCW65C
BCW66F
BCW66G
BCW66H
eas
EBs
ECs
EFs
egs
EHs
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
1 = b
2 = e?
2 = e?
2 = e?
2 = e?
2 = e?
2 = e?
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
3 = c
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
最大值 额定值
参数
符号
BCW65 BCW66
单位
集电极-发射极 电压
v
CEO
32 45 v
收集器-底座 电压
v
CBO
60 75
发射器-底座 电压
v
EBO
5 5
直流 收集器 电流
c
800 ma
峰值 收集器 电流
厘米
1 一个
底座 电流
mA100
B
峰值 底座 电流
BM
200
合计 电源 耗散
,
t
s
= 79 °c
p
tot
330 mW
接合点 温度
t
j
150 °C
存储 温度
t
stg
-65 ... 150
热 电阻
接合点 - 焊接 点
1)
thJS
215 k/w
1
用于 计算 的
thja
请 参考 至 应用程序 备注 热 电阻
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