sot89 npn 硅 平面
中 电源 晶体管
问题 3 – 二月 1996
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partmarking 详细信息:-
bcx54 – ba bcx54-10 – bc bcx54-16 – bd
bcx55 – 是 bcx55-10 – bg bcx55-16 – bm
bcx56 – bh bcx56-10 – bk bcx56-16 – bl
互补 类型:-
bcx54 – bcx51 bcx55 – bcx52 bcx56 – bcx53
绝对 最大值 额定值.
参数 符号 BCX54 BCX55 BCX56 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
45 60 100 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
45 60 80 v
发射器-底座 电压 v
EBO
5V
峰值 脉冲 电流 我
厘米
2A
连续 收集器 电流 我
c
1A
电源 耗散 在 t
amb
=25°C p
tot
1W
操作 和 存储 温度 范围 t
j
:t
stg
-65 至 +150 °C
电气 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 声明).
参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件.
收集器-底座 击穿
电压
BCX54
BCX55
BCX56
v
(br)cbo
45
60
100
v
我
c
=100
µ
一个
集电极-发射极
击穿 电压
BCX54
BCX55
BCX56
v
(br)ceo
45
60
80
六
c
=10mA*
发射器-底座 击穿 电压 v
(br)ebo
5V
我
e?
=10
µ
一个
收集器 截止 电流 我
CBO
0.1
20
µ
一个
µ
一个
v
cb
=30V
v
cb
=30v, t
amb
=150°C
发射器 截止 电流 我
EBO
20 不适用 v
eb
=4V
集电极-发射极 饱和度 电压 v
ce(sat)
0.5 v 我
c
=500ma, 我
B
=50mA*
基极-发射极 打开 电压 v
是(开启)
1.0 v 我
c
=500ma, v
ce
=2V*
静态 前进 电流 转让
比率
h
铁
–10
–16
25
40
25
63
100
250
160
250
我
c
=5ma, v
ce
=2V*
我
c
=150ma, v
ce
=2V*
我
c
=500ma, v
ce
=2V*
我
c
=150ma, v
ce
=2V*
我
c
=150ma, v
ce
=2V*
过渡 频率 f
t
150 MHz 我
c
=50ma, v
ce
=10v,
f=100MHz
输出 电容 c
obo
15 pf v
cb
=10v, f=1mhz
*measured 下 脉冲 条件. 脉冲 宽度=300
µ
s. 职责 循环
≤
2%
BCX54
BCX55
BCX56
c
c
B
e?
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