1
) 已安装 开启 p.c. 板 与 3 mm
2
铜 衬垫 在 每个 终端
蒙太奇 auf leiterplatte 麻省理工学院 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 已测试 与 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen 麻省理工学院 impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
54
01.11.2003
2.5
最大值
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
类型
代码
1.9
bcx 19, bcx 20 概述 目的 晶体管
npn
表面 安装 si-外延
PlanarTransistors
si-外延 planartransistoren
für 模具 oberflächenmontage
npn
电源 耗散 – verlustleistung 250 mw
塑料 案例 sot-23
Kunststoffgehäuse (至-236)
重量 约. – gewicht ca. 0.01 g
塑料 材料 有ul 分类 94v-0
gehäusematerial ul94v-0 klassifiziert
尺寸 / maße 入点 mm
1 = b 2 = e? 3 = c
标准 包装 录音 和 卷线
标准 lieferform gegurtet auf 罗尔
最大值 额定值 (t
一个
= 25
c) Grenzwerte
(t
一个
= 25
c)
bcx 19 bcx 20
收集器-发射器-电压 b 打开 v
CE0
45 v 25 v
收集器-底座-电压 e? 打开 v
CB0
50 v 30 v
发射器-底座-电压 c 打开 v
EB0
5 v
电源 耗散 – verlustleistung p
tot
250 mw
1
)
收集器 电流 – kollektorstrom (直流) 我
c
500 ma
峰值 收集器 电流– kollektor-spitzenstrom 我
厘米
1 一个
峰值 底座 电流 – 依据-spitzenstrom 我
BM
200 ma
接合点 温度 – sperrschichttemperatur t
j
150
c
存储 温度 – lagerungstemperatur t
s
- 65…+ 150
c
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
收集器-底座 截止 电流 – kollektorreststrom
我
e?
= 0, v
cb
= 20 v 我
CB0
– – 100 不适用
我
e?
= 0, v
cb
= 20 v, t
j
= 150
ci
CB0
––5
一个
发射器-底座 截止 电流 – emitterreststrom
我
c
= 0, v
eb
= 5 v 我
EB0
– – 100 不适用
收集器 饱和度 电压. – kollektor-sättigungsspg.
2
)
我
c
= 500 ma, 我
B
= 50 ma v
CEsat
– – 620 mv
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