©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, 六月 2001
bd157/158/159
npn epitxial 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 脉冲
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 : bd157
: bd158
: bd159
275
325
375
v
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压 : bd157
: bd158
: bd159
250
300
350
v
v
v
v
EBO
发射器-底座 电压 5 v
我
c
收集器 电流 (直流) 0.5 一个
我
cp
*collector 电流 (脉冲) 1.0 一个
我
B
底座 电流 0.25 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 20 w
t
j
接合点 温度 50
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CEO
*collector-发射器 击穿 电压
: bd157
: bd158
: bd159
我
c
= 1ma, 我
B
= 0 250
300
350
v
v
v
我
CBO
收集器 截止 电流
: bd157
: bd158
: bd159
v
cb
= 275v, 我
e?
= 0
v
cb
= 325v, 我
e?
= 0
v
cb
= 375v, 我
e?
= 0
100
100
100
µ
一个
µ
一个
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= 5v, 我
c
= 0 100
µ
一个
h
铁
* 直流 电流 增益 v
ce
= 10v, 我
c
= 50ma 30 240
bd157/158/159
低 电源 快 开关 输出 阶段
• 用于 t.v 收音机 音频 输出 放大器
1
至-126
1. 发射器 2.收集器 3.底座
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