©2001 仙童 半导体 公司 rev. a1, 六月 2001
bd233/235/237
npn 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 脉冲
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压
: bd233
: bd235
: bd237
45
60
100
v
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压
: bd233
: bd235
: bd237
45
60
80
v
v
v
v
cer
集电极-发射极 电压
: bd233
: bd235
: bd237
45
60
100
v
v
v
v
EBO
发射器-底座 电压 5 v
我
c
收集器 电流 (直流) 2 一个
我
cp
*collector 电流 (脉冲) 6 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 25 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
v
CEO
(sus) * 集电极-发射极 维持 电压
: bd233
: bd235
: bd237
我
c
= 100ma, 我
B
= 0 45
60
80
v
v
v
我
CBO
收集器 截止 电流
: bd233
: bd235
: bd237
v
cb
= 45v, 我
e?
= 0
v
cb
= 60v, 我
e?
= 0
v
cb
= 100v, 我
e?
= 0
100
100
100
µ
一个
µ
一个
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= 5v, 我
c
= 0 1 ma
h
铁
* 直流 电流 增益 v
ce
= 2v, 我
c
= 150ma
v
ce
= 2v, 我
c
= 1a
40
25
v
ce
(sat) * 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 1a, 我
B
= 0.1a 0.6 v
v
是
(开启) * 基极-发射极 开启 电压 v
ce
= 2v, 我
c
= 1a 1.3 v
f
t
电流 增益 带宽 产品 v
ce
= 10v, 我
c
= 250ma 3 MHz
bd233/235/237
中 电源 线性 和 开关
应用程序
• 补码 至 bd 234/236/238 分别
1
至-126
1. 发射器 2.收集器 3.底座
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