©2000 仙童 半导体 国际 rev. 一个, 二月 2000
bd675a/677a/679a/681
npn 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw=300
µ
s, 职责 循环=1.5% 脉冲
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 : bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
45
60
80
100
v
v
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压 : bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
45
60
80
100
v
v
v
v
v
EBO
发射器-底座 电压 5 v
我
c
收集器 电流 (直流) 4 一个
我
cp
*collector 电流 (脉冲) 6 一个
我
B
底座 电流 100 ma
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 40 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
v
CEO
(sus) *collector-发射器 维持 电压
: bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
我
c
= 50ma, 我
B
= 0 45
60
80
100
v
v
v
v
我
CBO
收集器-底座 电压 : bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
v
cb
= 45v, 我
e?
= 0
v
cb
= 60v, 我
e?
= 0
v
cb
= 80v, 我
e?
= 0
v
cb
= 100v, v
是
= 0
200
200
200
200
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
我
CEO
收集器 截止 电流 : bd675a
: bd677a
: bd679a
: bd681
v
ce
= 45v, v
是
= 0
v
ce
= 60v, v
是
= 0
v
ce
= 80v, v
是
= 0
v
ce
= 100v, v
是
= 0
500
500
500
500
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= 5v, 我
c
= 0 2 ma
h
铁
* 直流 电流 增益 : bd675a/677a/679a
: bd681
v
ce
= 3v, 我
c
= 2a
v
ce
= 3v, 我
c
= 1.5a
750
750
v
ce
(sat) * 集电极-发射极 饱和度 电压
: bd675a/677a/679a
: bd681
我
c
= 2a, 我
B
= 40ma
我
c
= 1.5a, 我
B
= 30ma
2.8
2.5
v
v
v
是
(开启) * 基极-发射极 开启 电压 : bd675a/677a/679a
: bd681
v
ce
= 3v, 我
c
= 2a
v
ce
= 3v, 我
c
= 1.5a
2.5
2.5
v
v
bd675a/677a/679a/681
中 电源 线性 和 开关
应用程序
• 中 电源 darlington tr
• 补码 至 bd676a, bd678a, bd680a 和 bd682 分别
1
至-126
1. 发射器 2.收集器 3.底座
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