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©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
bdw93/一个/b/c
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
热的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级-根基 电压
: bdw93
: bdw93a
: bdw93b
: bdw93c
45
60
80
100
V
V
V
V
V
CEO
集电级-发射级 电压
: bdw93
: bdw93a
: bdw93b
: bdw93c
45
60
80
100
V
V
V
V
I
C
集电级 电流 (直流) 12 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) 15 一个
I
B
根基 电流 0.2 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 80 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 65 ~ 150
°
C
标识 参数 值 单位
R
θ
jc
热的 阻抗 接合面 至 情况 1.5
°
c/w
bdw93/一个/b/c
hammer 驱动器,
音频的 放大器 产品
• 电源 darlington tr
• complement 至 bdw94, bdw94a, bdw94b 和 bdw94c 各自
1.根基    2.集电级    3.发射级
1
至-220

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©2000 仙童半导体国际的 rev. 一个, 二月 2000 bdw93/一个/b/c npn 外延的硅晶体管绝对最大比率 T C =25 ° C 除非否则指出热的特性 T C =25 ° C 除非否则指出标识参数值单位 V CBO 集电级-根基电压 : bdw93 : bdw93a : bdw93b : bdw93c 45 60 80 100 V V V V V CEO 集电级-发射级电压 : bdw93 : bdw93a : bdw93b : bdw93c 45 60 80 100 V V V V I C 集电级电流 (直流) 12 一个 I CP *collector 电流 (脉冲波) 15 一个 I B 根基电流 0.2 一个 P C 集电级消耗 (t C =25 ° c) 80 W T J 接合面温度 150 ° C T STG 存储温度 - 65 ~ 150 ° C 标识参数值单位 R θ jc 热的阻抗接合面至情况 1.5 ° c/w bdw93/一个/b/c hammer 驱动器, 音频的放大器产品 • 电源 darlington tr • complement 至 bdw94, bdw94a, bdw94b 和 bdw94c 各自 1.根基 2.集电级 3.发射级 1 至-220

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