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©2005 仙童 半导体 公司
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bdw94cf rev. 一个
bdw94cf  pnp 外延 硅 晶体管
july 2005
BDW94CF
pnp 外延 硅 晶体管
电源 线性 和 开关 应用程序
• 电源 darlington tr
• 补码 至 bdw93cf 分别
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
= 25°c 除非 否则 已注明
* 脉冲 测试一下: pw = 300
µ
s, 职责 循环 = 1.5% 脉冲
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 -100 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 -100 v
我
c
收集器 电流 (直流) -12 一个
我
cp
收集器 电流 (脉冲) * -15 一个
我
B
底座 电流 -0.2 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
= 25
°
c) 30 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 -65 ~ 150
°
c
符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
v
ceo(sus)
集电极-发射极 维持 电压 我
c
-100ma, 我
B
= 0 -100 v
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
= -100v, 我
e?
= 0 -100
µ
一个
我
CEO
收集器 截止 电流 vv
ce
= -100v, 我
B
= 0 -1 ma
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= -5v, 我
c
= 0 -2 ma
h
铁
直流 电流 增益 * v
ce
= -3v, 我
c
= -3a
v
ce
= -3v, 我
c
= -5a
v
ce
= -3v, 我
c
= -10a
1000
750
100
20000
v
ce(sat)
集电极-发射极 饱和度 电压 * 我
c
= -5a, 我
B
= -20ma
我
c
= -10a, 我
B
= -100ma
-2
-3
v
v
v
是(sat)
基极-发射极 饱和度 电压 * 我
c
= -5a, 我
B
= -20ma
我
c
= -10a, 我
B
= -100ma
-2.5
-4
v
v
v
f
平行 二极管 前进 电压 * 我
f
= -5a
我
f
= -10a
-1.3
-1.8
-2
-4
v
v
1
1.底座    2.收集器    3.发射器
至-220f

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©2005 仙童半导体公司 1 www.仙女半.com bdw94cf rev. 一个 bdw94cf pnp 外延硅晶体管 july 2005 BDW94CF pnp 外延硅晶体管电源线性和开关应用程序 • 电源 darlington tr • 补码至 bdw93cf 分别绝对最大值额定值 t 一个 = 25°c 除非否则已注明电气特性 t c = 25°c 除非否则已注明 * 脉冲测试一下: pw = 300 µ s, 职责循环 = 1.5% 脉冲符号参数值单位 v CBO 收集器-底座电压 -100 v v CEO 集电极-发射极电压 -100 v 我 c 收集器电流 (直流) -12 一个我 cp 收集器电流 (脉冲) * -15 一个我 B 底座电流 -0.2 一个 p c 收集器耗散 (t c = 25 ° c) 30 w t j 接合点温度 150 ° c t stg 存储温度 -65 ~ 150 ° c 符号参数条件最小值典型值最大值单位 v ceo(sus) 集电极-发射极维持电压我 c -100ma, 我 B = 0 -100 v 我 CBO 收集器截止电流 v cb = -100v, 我 e? = 0 -100 µ 一个我 CEO 收集器截止电流 vv ce = -100v, 我 B = 0 -1 ma 我 EBO 发射器截止电流 v eb = -5v, 我 c = 0 -2 ma h 铁直流电流增益 * v ce = -3v, 我 c = -3a v ce = -3v, 我 c = -5a v ce = -3v, 我 c = -10a 1000 750 100 20000 v ce(sat) 集电极-发射极饱和度电压 * 我 c = -5a, 我 B = -20ma 我 c = -10a, 我 B = -100ma -2 -3 v v v 是(sat) 基极-发射极饱和度电压 * 我 c = -5a, 我 B = -20ma 我 c = -10a, 我 B = -100ma -2.5 -4 v v v f 平行二极管前进电压 * 我 f = -5a 我 f = -10a -1.3 -1.8 -2 -4 v v 1 1.底座 2.收集器 3.发射器至-220f

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