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©2000 仙童 半导体 国际 rev. 一个, 二月 2000
bdx34/一个/b/c
pnp 外延 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
- 45
- 60
- 80
- 100
v
v
v
v
v
CEO
集电极-发射极 电压
: bdx34
: bdx34a
: bdx34b
: bdx34c
- 45
- 60
- 80
- 100
v
v
v
v
我
c
收集器 电流 (直流) - 10 一个
我
cp
*collector 电流 (脉冲) - 15 一个
我
B
底座 电流 - 0.25 一个
p
c
收集器 耗散 (t
c
=25
°
c) 70 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 65 ~ 150
°
c
bdx34/一个/b/c
电源 线性 和 开关 应用程序
• 高 增益 概述 目的
• 电源 darlington tr
• 补码 至 bdx33/33a/33b/33c 分别
1.底座    2.收集器    3.发射器
1
至-220

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©2000 仙童半导体国际 rev. 一个, 二月 2000 bdx34/一个/b/c pnp 外延硅晶体管绝对最大值额定值 t c =25 ° c 除非否则已注明符号参数值单位 v CBO 收集器-底座电压 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c - 45 - 60 - 80 - 100 v v v v v CEO 集电极-发射极电压 : bdx34 : bdx34a : bdx34b : bdx34c - 45 - 60 - 80 - 100 v v v v 我 c 收集器电流 (直流) - 10 一个我 cp *collector 电流 (脉冲) - 15 一个我 B 底座电流 - 0.25 一个 p c 收集器耗散 (t c =25 ° c) 70 w t j 接合点温度 150 ° c t stg 存储温度 - 65 ~ 150 ° c bdx34/一个/b/c 电源线性和开关应用程序 • 高增益概述目的 • 电源 darlington tr • 补码至 bdx33/33a/33b/33c 分别 1.底座 2.收集器 3.发射器 1 至-220

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