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2005 微芯 技术 公司 ds21710d-页 1
24aa08/24lc08b
设备 选择 表格
特性:
• 单独的 供应 和 运作 向下 至 1.8v
• 低-电源 cmos 技术:
- 1 毫安 起作用的 电流, 典型
-1
µ
一个 备用物品 电流, 典型 (i-温度)
• 有组织的 作 4 blocks 的 256 字节 (4 x 256 x 8)
• 2-线 串行 接口 总线, i
2
c™ 兼容
• 施密特 触发 输入 为 噪音 抑制
• 输出 斜度 控制 至 eliminate 地面 bounce
• 100 khz (<2.5v) 和 400 khz (
≥
2.5v) 兼容性
• 自-安排时间 写 循环 (包含 自动-擦掉)
• 页 写 缓存区 为 向上 至 16 字节
• 2 ms 典型 写 循环 时间 为 页 写
• 硬件 写-保护 为 全部 记忆
• 能 是 运作 作 一个 串行 只读存储器
• 工厂 程序编制 (qtp) 有
• 静电释放 保护 > 4,000v
• 1,000,000 擦掉/写 循环
• 数据 保持 > 200 年
• 8-含铅的 pdip, soic, tssop, dfn 和 msop
包装
• 5-含铅的 sot-23 包装
• 标准 和 铅-自由 finishes 有
• 有 为 扩展 温度 范围:
- 工业的 (i): -40°c 至 +85°c
- automotive (e): -40°c 至 +125°c
描述:
这 微芯 技术 公司 24aa08/24lc08b
(24xx08*) 是 一个 8 kbit 用电气 可擦掉的 prom. 这
设备 是 有组织的 作 四 blocks 的 256 x 8-位
记忆 和 一个 2-线 串行 接口. 低 电压
设计 准许 运作 向下 至 1.8v, 和 备用物品
和 起作用的 电流 的 仅有的 1
µ
一个 和 1 毫安,
各自. 这 24xx08 也 有 一个 页 写
能力 为 向上 至 16 字节 的 数据. 这 24xx08 是
有 在 这 标准 8-管脚 pdip, 表面 挂载
soic, tssop, 2x3 dfn 和 msop 包装, 和 是
也 有 在 这 5-含铅的 sot-23 包装.
块 图解
包装 类型
部分
号码
V
CC
范围
最大值 时钟
频率
Temp
范围
24AA08 1.8-5.5 400 kHz
(1)
I
24LC08B 2.5-5.5 400 kHz i, e
便条 1:
100 khz 为 v
CC
<2.5v
HV
可擦可编程只读存储器
排列
页
YDEC
XDEC
sense 放大.
记忆
控制
逻辑
i/o
控制
逻辑
i/o
WP
SDA
SCL
V
CC
V
SS
r/w控制
Latches
发生器
A0
A1
A2
V
SS
V
CC
WP
SCL
SDA
1
2
3
4
8
7
6
5
pdip, msop
soic, tssop
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
DFN
A0
A1
A2
V
SS
WP
SCL
SDA
V
CC
sot-23-5
15
4
3
SCL
Vss
SDA
WP
Vcc
2
便条:
管脚 a0, a1 和 a2 是 不 使用 用 这 24xx08. (非
内部的 连接).
8
7
6
5
1
2
3
4
8k i
2
C
™
串行 可擦可编程只读存储器
*24xx08 是 使用 在 这个 文档 作 一个 generic 部分
号码 为 这 24aa08/24lc08b 设备.
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