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资料编号:170390
 
资料名称:BFR106
 
文件大小: 57.83K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers For linear broadband amplifiers)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BFR106
六月-27-20011
npn 硅 rf 晶体管
用于 低 噪声, 高增益 放大器
用于 线性 宽带 放大器
特殊 应用程序: 天线 放大器
互补 类型: bfr194 (pnp)
1
2
3
VPS05161
esd
:
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lectro
s
塔蒂克
d
ischarge 敏感 设备, 观察 搬运 precaution!
类型 标记 管脚 配置 包装
BFR106 R7s 1 = b 2 = e? 3 = c SOT23
最大值 额定值
参数
符号 单位
集电极-发射极 电压
v
CEO
15 v
集电极-发射极 电压
v
消费电子展
20
收集器-底座 电压
v
CBO
20
发射器-底座 电压
v
EBO
3
收集器 电流
c
100 ma
底座 电流
B
12
合计 电源 耗散
,
t
s
73 °c
1)
p
tot
700 mW
接合点 温度
t
j
150 °C
环境 温度
t
一个
-65 ... 150
存储 温度
t
stg
-65 ... 150
热 电阻
接合点 - 焊接 点
2)
thJS
110
k/w
1
t
s
是 已测量 开启 这 收集器 铅 在 这 焊接 点 至 这 pcb
2
用于 计算 的
thja
请 参考 至 应用程序 备注 热 电阻
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