k6r4008v1b-c/b-l, k6r4008v1b-我/b-p
cmos sram
初步
rev 2.2
- 1 -
将 1999
文件 标题
512kx8 有点 高 速度 静态 ram(3.3v 操作).
操作 在 商业 和 工业 温度 范围.
修订 历史
这 附加 数据 床单 是 编制 和 已批准 由 samsung 电子产品. samsung 电子产品 一氧化碳., 有限公司. 储备金 这 右侧 至 change 这
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区域, 请 联系人 这 samsung 分支机构 办公室 近 你的 办公室, 呼叫 或 联系人 总部.
rev 否.
rev. 0.0
rev. 1.0
rev. 2.0
rev. 2.1
rev. 2.2
Remark
设计 目标
初步
决赛
决赛
决赛
历史
初始 释放 与 设计 目标.
释放 至 初步 数据 工作表.
1.1. 更换 设计 目标 至 初步.
释放 至 决赛 数据 工作表.
2.1. 删除 初步.
2.2. 添加 30pf 电容式 入点 测试一下 荷载.
2.3. 放松 直流 特性.
变更 操作 电流 在 工业 温度 范围.
上一个 规格. 已更改 规格.
项目 (10/12/15ns 零件) (10/12/15ns 零件)
icc 205/200/195ma 230/225/220ma
添加 44 针脚 塑料 tsop(二) 前进 包装.
项目 上一个 电流
我抄送 10ns 170mA 205mA
12ns 160mA 200mA
15ns 150mA 195mA
我SB f=最大值. 40mA 50mA
我SB1 f=0 10 / 1ma 10 / 1.2ma
我博士 v博士=3.0v 0.9ma 1.0ma
草稿 数据
jan. 1st, 1997
六月. 1st, 1997
二月.11th.1998
六月.27th 1998
将. 4th 1999
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