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mos 整体的 电路
µ
µµ
µ
pd23c16040bl, 23c16080bl
16m-位 掩饰-可编程序的 只读存储器
2m-文字 用 8-位 (字节 模式) / 1m-word 用 16-bit (word mode)
页 进入 模式
文档 非. m15720ej3v0ds00 (3rd 版本)
日期 发行 march 2003 ns cp(k)
打印 在 日本
数据 薄板
这 mark 显示 主要的 修订 点.
2001
描述
这
µ
pd23c16040bl 和
µ
pd23c16080bl 是 16,777,216 位 掩饰-可编程序的 只读存储器. 这 文字 organization 是
可选择的 (字节 模式 : 2,097,152 words 用 8 位, 文字 模式 : 1,048,576 words 用 16 bits).
这 起作用的 水平 的 oe (输出 使能 输入) 能 是 选择 和 掩饰-选项.
这
µ
pd23c16040bl 和
µ
pd23c16080bl 是 packed 在 48-管脚 塑料 tsop(i) 和 44-管脚 塑料 sop.
特性
•
文字 organization
2,097,152 words 用 8 位 (字节 模式)
1,048,576 words 用 16 位 (文字 模式)
•
页 进入 模式
字节 模式 : 8 字节 随机的 页 进入 (
µ
pd23c16040bl)
16 字节 随机的 页 进入 (
µ
pd23c16080bl)
文字 模式 : 4 文字 随机的 页 进入 (
µ
pd23c16040bl)
8 文字 随机的 页 进入 (
µ
pd23c16080bl)
•
运行 供应 电压 : v
CC
= 2.7 v 至 3.6 v
运行 供应 进入 时间 / 电源 供应 电流 (起作用的 模式) 备用物品 电流
电压 页 进入 时间 毫安 (最大值.) (cmos 水平的 输入)
V
CC
ns (最大值.)
µ
PD23C16040BL
µ
PD23C16080BL
µ
一个 (最大值.)
3.0 v
±
0.3 v 90 / 25 40 55 30
3.3 v
±
0.3 v 85 / 25
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