决赛
Publication#
11559
rev:
h
修正案/
+2
问题 日期:
january 1998
Am28F010
1 兆位 (128 k x 8-有点)
cmos 12.0 电压, 散装 擦除 闪光灯 记忆
与众不同 特性
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高 业绩
— 70 ns 最大值 访问权限 时间
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cmos 低 电源 消费
— 30 ma 最大值 活动 电流
— 100 µa 最大值 备用 电流
— 否 数据 保留 电源 消费
■
兼容 与 电子元件工业联合会-标准 字节宽
32-管脚 非易失存储器 引出线
— 32-管脚 pdip
— 32-管脚 plcc
— 32-管脚 tsop
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10,000 写/擦除 循环次数 最小值
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写 和 擦除 电压 12.0 v
±
5%
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闩锁 保护 至 100 ma
从 –1 v 至 v
抄送
+1 v
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Flasherase™
电气 散装 芯片擦除
— 一个 第二 典型 芯片擦除
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flashrite™ 编程
— 10 µs 典型 字节程序
— 两个 秒 典型 芯片 程序
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命令 注册 体系结构 用于
微处理器/微控制器 兼容
写 接口
■
片上 地址 和 数据 锁扣
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高级 cmos 闪光灯 记忆 技术
— 低 成本 单独 晶体管 记忆 细胞
■
自动 写/擦除 脉冲 停止 计时器
概述 描述
这 am28f010 是 一个 1 兆位 闪光灯 记忆 orga-
nized 作为 128 千字节 的 8 比特 每个. amd’s 闪光灯 mem-
卡路里 报价 这 大多数 成本效益 和 可靠 阅读/
写 非挥发性 随机 访问权限 记忆. 这
am28f010 是 已打包 入点 32-管脚 pdip, plcc, 和
tsop 版本. 它 是 设计 至 是 重新编程
和 已擦除 在系统内 或 入点 标准 非易失存储器 专业版-
grammers. 这 am28f010 是 已擦除 当 已发货
从 这 工厂.
这 标准 am28f010 优惠 访问权限 次 作为 快 作为
70 ns, 允许 操作 的 高速 微进程-
sors 无 等待 国家. 至 消除 总线 争用,
这 am28f010 有 分开 芯片 启用 (ce#) 和
输出 启用 (oe#) 控件.
amd’s 闪光灯 回忆 增强 非易失存储器 功能
与 在电路中 电气 擦除 和 编程. 这
am28f010 用途 一个 命令 注册 至 管理 这个
功能, 同时 维护 一个 电子元件工业联合会 闪光灯 斯坦-
达德 32-管脚 引出线. 这 命令 注册 允许 用于
100% ttl 水平 控制 输入 和 固定 电源 供应
级别 期间 擦除 和 编程, 同时 维护-
ing 最大值 非易失存储器 兼容性.
amd’s 闪光灯 技术 可靠 商店 记忆 con-
帐篷 甚至 之后 10,000 擦除 和 程序 循环次数. 这
amd 细胞 是 设计 至 优化 这 擦除 和 专业版-
gramming 机制. 入点 加法, 这 组合 的
高级 隧道 氧化物 加工 和 低 内部
电动 字段 用于 擦除 和 编程 运营
生产 可靠 骑自行车. 这 am28f010 用途 一个
12.0v
±
5% v
pp
高 电压 输入 至 执行 这
Flasherase
和 flashrite
算法.
这 最高 学位 的 闩锁 保护 是 已实现
与 amd’s 专有 非epi 流程. 闩锁 专业版-
保护 是 提供 用于 应力 向上 至 100 毫安 开启
地址 和 数据 针脚 从 –1 v 至 v
抄送
+1 v.
这 am28f010 是 字节 可编程 使用 10 ms 专业版-
gramming 脉冲 入点 符合 与 amd’s flashrite
编程 算法. 这 典型 房间 温度
编程 时间 的 这 am28f010 是 两个 秒.
这 整个 芯片 是 散装 已擦除 使用 10 ms 擦除 脉冲
根据 至 amd’s flasherase alrogithm. 典型 时代-
当然 在 房间 温度 是 已完成 入点 较少 比
一个 第二. 这 窗口化 包装 和 这 15–20
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