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资料编号:179354
 
资料名称:BC847BRLT1
 
文件大小: 117.71K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(NPN Silicon)
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BC847BRLT1的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号BC847BRLT1的Datasheet PDF文件第3页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 收音机 公司, 有限公司.
m36–1/3
概述 目的 晶体管
npn 硅
1
3
2
BC847BRLT1
是 lrc prefered 设备
案例 318–07, 风格 6
sot– 23 (to–236ab)
最大值 额定值
评级 符号 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
50 v
collector–base 电压 v
CBO
60 v
EBO
7.0 v
收集器 电流 — 连续
c
150 mAdc
收集器 电源 耗散 p
c
0.2 w
接合点 温度 t
j
150 °C
存储 温度 t
stg
-55
~
+150 °C
设备 标记
bc847brlt1 =g1f
电气 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明.)
特性 符号 最小 典型值 最大值 单位
collector–emitter 击穿 电压
v
(br)ceo
50 v
(我
c
= 1 ma)
emitter–base 击穿 电压
v
(br)ebo
7——V
(我
e?
= 50
µ
一个)
collector–base 击穿 电压
v
(br)cbo
60 v
(我
c
= 50
µ
一个)
收集器 截止 电流
CBO
0.1
µ
一个
(v
cb
= 60 v)
发射器 截止 电流
EBO
0.1
µ
一个
(v
eb
= 7 v)
集电极-发射极 饱和度 电压
v
ce(sat)
0.4 v
(我
c
/ 我
B
= 50 ma / 5m 一个)
直流 电流 转让 比率 h
120 –– 560 ––
(v
ce
= 6 v, 我
c
= 1ma)
过渡 频率
f
t
180 –– MHz
(v
ce
= 12 v, 我
e?
= – 2ma, f =30mhz )
输出 电容
c
ob
2.0 3.5 pf
(v
cb
= 12 v, 我
e?
= 0a, f =1mhz )
h
数值 是 已分类 作为 跟随:
QRS
hFE 120~270 180~390 270~560
2
发射器
3
收集器
1
底座
*
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