半导体 集团
1 jan-10-1997
bsm 50 gd120dn2e3226
igbt 电源 模块
• 电源 模块
• 3-相位 全桥
• 包括 快 自由轮 二极管
• 包装 与 绝缘 金属 底座 板
• e3226: 长 接线端子, 有限 电流 按 终端
类型
v
ce
我
c
包装 订购 代码
bsm 50 gd120dn2e3226 1200V 50A econopack 2 c67070-a2514-a67
最大值 额定值
参数
符号 数值 单位
集电极-发射极 电压
v
ce
1200 v
收集器-闸门 电压
右
通用电气
= 20 k
Ω
v
CGR
1200
栅极-发射极 电压
v
通用电气
± 20
直流 收集器 电流
t
c
= 25 °c
t
c
= 80 °c
我
c
45
50
一个
脉冲 收集器 电流,
t
p
= 1 ms
t
c
= 25 °c
t
c
= 80 °c
我
Cpuls
90
100
电源 耗散 按 igbt
t
c
= 25 °c
p
tot
350
w
芯片 温度
t
j
+ 150 °C
存储 温度
t
stg
-55 ... + 150
热 电阻, 芯片 案例
右
thjc
≤
0.35
k/w
二极管 热 电阻, 芯片 案例
右
thjc
d
≤
0.7
绝缘 测试一下 电压,
t
= 1min.
v
是
2500 vac
爬电距离 距离 - 16 mm
净空 - 11
din 湿度 类别, din 40 040 - f 秒
iec climatic 类别, din iec 68-1 - 55 / 150 / 56
: 点此下载
