半导体 集团
1 8月-02-1996
BSM150GB120DN2E3166
igbt 电源 模块
初步 数据
• 半桥
• 包括 快 自由滑行 二极管
• 放大型 二极管 面积
• 包装 与 绝缘 金属 底座 板
类型
v
ce
我
c
包装 订购 代码
BSM150GB120DN2E3166 1200V 210A 半桥 2 c67076-a2112-a70
最大值 额定值
参数
符号 数值 单位
集电极-发射极 电压
v
ce
1200 v
收集器-闸门 电压
右
通用电气
= 20 k
Ω
v
CGR
1200
栅极-发射极 电压
v
通用电气
± 20
直流 收集器 电流
t
c
= 25 °c
t
c
= 80 °c
我
c
150
210
一个
脉冲 收集器 电流,
t
p
= 1 ms
t
c
= 25 °c
t
c
= 80 °c
我
Cpuls
300
420
电源 耗散 按 igbt
t
c
= 25 °c
p
tot
1250
w
芯片 温度
t
j
+ 150 °C
存储 温度
t
stg
-55 ... + 150
热 电阻, 芯片 案例
右
thjc
≤
0.1
k/w
二极管 热 电阻, 芯片 案例
右
thjc
d
≤
0.125
绝缘 测试一下 电压,
t
= 1min.
v
是
2500 vac
爬电距离 距离 - 20 mm
净空 - 11
din 湿度 类别, din 40 040 - f -
iec climatic 类别, din iec 68-1 - 55 / 150 / 56
: 点此下载
