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igbt-模块
igbt-模块
BSM75GB120DLC
höchstzulässige werte / 最大值 额定 数值
elektrische eigenschaften / 电气 属性
kollektor-发射器-sperrspannung
集电极-发射极 电压
v
消费电子展
1200 v
kollektor-dauergleichstrom
t
c
= 80 °c 我
c,nom.
75 一个
直流-收集器 电流
t
c
= 25 °c 我
c
170 一个
periodischer kollektor spitzenstrom
重复性 峰值 收集器 电流
t
p
= 1 ms, t
c
= 80°c 我
CRM
150 一个
gesamt-verlustleistung
合计 电源 耗散
t
c
=25°c, 晶体管 p
tot
690 w
闸门-发射器-spitzenspannung
栅极-发射极 峰值 电压
v
ges
+/- 20v v
Dauergleichstrom
直流 前进 电流
我
f
75 一个
periodischer spitzenstrom
重复性 峰值 forw. 电流
t
p
= 1 ms 我
FRM
150 一个
grenzlastintegral der 二极管
我
2
t - 值, 二极管
v
右
= 0v, t
p
= 10ms, t
vj
= 125°c
我
2
t
1,19
kA
2
s
isolations-prüfspannung
绝缘 测试一下 电压
rms, f = 50 赫兹, t = 1 最小值
v
isol
2,5 kV
charakteristische werte / 特性 数值
晶体管 / 晶体管
最小值 典型值 最大值
kollektor-发射器 sättigungsspannung
我
c
= 75a, v
通用电气
= 15v, t
vj
= 25°c v
ce sat
- 2,1 2,6 v
集电极-发射极 饱和度 电压
我
c
= 75a, v
通用电气
= 15v, t
vj
= 125°c
- 2,4 2,9 v
闸门-schwellenspannung
闸门 阈值 电压
我
c
= 3ma, v
ce
= v
通用电气
, t
vj
= 25°c v
通用电气(th)
4,5 5,5 6,5 v
Gateladung
闸门 费用
v
通用电气
= -15v...+15v q
g
- 0,8 -
µ
c
Eingangskapazität
输入 电容
f = 1mhz,t
vj
= 25°c,v
ce
= 25v, v
通用电气
= 0v c
ies
- 5,1 - nf
Rückwirkungskapazität
反向 转让 电容
f = 1mhz,t
vj
= 25°c,v
ce
= 25v, v
通用电气
= 0v c
res
- 0,33 - nf
kollektor-发射器 reststrom
v
ce
= 1200v, v
通用电气
= 0v, t
vj
= 25°c 我
消费电子展
-392
µ
一个
集电极-发射极 截止 电流
v
ce
= 1200v, v
通用电气
= 0v, t
vj
= 125°c
- 300 -
µ
一个
栅极-发射极 reststrom
栅极-发射极 泄漏 电流
v
ce
= 0v, v
通用电气
= 20v, t
vj
= 25°c 我
ges
- - 400 不适用
编制 由: 标记 münzer 日期 的 出版物: 9.9.1999
已批准 由: m. hierholzer 修订: 2
1(8)
seriendatenblatt_bsm75gb120dlc.xls
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