sot89 pnp 硅 平面
中 电源 晶体管
问题 4 – 六月 1996
✪
互补 类型 – BSR40
partmarking 详图 – BR1
绝对 最大值 额定值.
参数 符号 值 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
-70 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
-60 v
发射器-底座 电压 v
EBO
-5 v
峰值 脉冲 电流 我
厘米
-2 一个
连续 收集器 电流 我
c
-1 一个
电源 耗散 在 t
amb
=25°C p
tot
1W
操作 和 存储 温度 范围 t
j
:t
stg
-65 至 +150 °C
电气 特性 (在 t
amb
= 25°c 除非 否则 声明).
参数 符号 最小值 最大值 单位 条件.
收集器-底座
击穿 电压
v
(br)cbo
-70 v
我
c
=-100
µ
一个
集电极-发射极
击穿 电压
v
(br)ceo
-60 v 我
c
=-10ma
发射器-底座 击穿 电压 v
(br)ebo
-5 v
我
e?
=-10
µ
一个
收集器 截止 电流 我
CBO
-100
-50
不适用
µ
一个
v
cb
=-60v
v
cb
=-60v, t
amb
=125°C
集电极-发射极
饱和度 电压
v
ce(sat)
-0.25
-0.5
v
v
我
c
=-150ma, 我
B
=-15ma
我
c
=-500ma, 我
B
=-50ma
基极-发射极
饱和度 电压
v
是(sat)
-1.0
-1.2
v
v
我
c
=-150ma, 我
B
=-15ma
我
c
=-500ma, 我
B
=-50ma
静态 前进 电流
转让 比率
h
铁
10
40
30
120
我
c
=-100
µ
一个, v
ce
=-5v
我
c
=-100ma, v
ce
=-5v
我
c
=-500ma, v
ce
=-5v
收集器 电容 c
c
20 pf v
cb
=-10v, f =1mhz
发射器 电容 c
e?
120 pf v
eb
=-0.5v, f =1mhz
过渡 频率 f
t
100 MHz 我
c
=-50ma, v
ce
=-10v
f =35mhz
打开 时间 t
开启
500 ns v
抄送
=-20v, 我
c
=-100ma
我
B1
=-我
B2
=-5ma
关闭 时间 t
关
650 ns
*measured 下 脉冲 条件. 脉冲 宽度=300
µ
s. 职责 循环
≤
2%
用于 典型 特性 图表 请参见 fmmt551 数据表.
BSR30
c
c
B
e?
SOT89
3 - 65
: 点此下载
