半导体 组件 industries, llc, 2004
六月, 2004 − rev. 5
1
发行 顺序 号码:
bss84lt1/d
BSS84LT1
电源 场效应晶体管
130 毫安, 50 v
p−channel sot−23
这些 小型的 表面 挂载 mosfets 减少 电源 丧失
conserve 活力, 制造 这个 设备 完美的 为 使用 在 小 电源
管理 电路系统. 典型 产品 是 dc−dc 转换器,
加载 切换, 电源 管理 在 可携带的 和 battery−powered
产品 此类 作 计算机, printers, cellular 和 cordless telephones.
特性
•
活力 效率高的
•
小型的 sot−23 表面 挂载 包装 saves 板 空间
•
pb−free 包装 是 有
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
50 Vdc
gate−to−source 电压 − 持续的 V
GS
±
20 Vdc
流 电流
− 持续的 @ t
一个
= 25
°
C
− 搏动 流 电流 (t
p
≤
10
s)
I
D
I
DM
130
520
毫安
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C P
D
225 mW
运行 和 存储 温度
范围
T
J
, t
stg
− 55 至
150
°
C
热的 阻抗 − junction−to−ambient R
JA
556
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 为 10 秒
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制
是 超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现
和 可靠性 将 是 影响.
3
1
2
P−Channel
130 毫安, 50 v r
ds(在)
= 10
http://onsemi.com
SOT−23
情况 318
样式 21
PDM
PD = 设备 代号
M = 日期 代号
标记 图解 &放大; 管脚 分派
3
21
流
门
2
1
3
源
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
BSS84LT1 SOT−23 3000 录音带 &放大; 卷轴
BSS84LT1G SOT−23
(pb−free)
3000 录音带 &放大; 卷轴
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
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