- 更好的 inadvertent 写 保护
• sector 保护
- 硬件 方法 至 使不能运转 任何 结合体 的
sectors 从 程序 或者 擦掉 行动
- sector 保护/unprotect 为 5v 仅有的 系统 或者 5v/
12v 系统
• 100,000 最小 擦掉/程序 循环
• 获得-向上 保护 至 100ma 从 -1v 至 vcc+1v
• 激励 代号 sector architecture
- t = 顶 激励 sector
- b = bottom 激励 sector
• 低 vcc 写 inhibit 是 equal 至 或者 较少 比 3.2v
• 包装 类型:
- 44-管脚 sop
- 48-管脚 tsop
• 擦掉 suspend/ 擦掉 重新开始
- suspends 一个 擦掉 运作 至 读 数据 从, 或者
程序 数据 至 一个 sector 那 是 不 正在 erased, 然后
重新开始 这 擦掉 运作.
• 硬件 重置 管脚
- resets 内部的 状态 mechine 至 这 读 模式
• 20 年 数据 保持
一般 描述
这 mx29f200t/b 是 一个 2-mega 位, 单独的 5 volt flash
记忆 有组织的 作 1m 文字 x16 或者 2m bytex8 mxic's
flash memories 提供 这 大多数 费用-有效的 和 reli-
能 读/写 非-易变的 随机的 进入 记忆.
这 mx29f200t/b 是 packaged 在 44-管脚 sop 和 48-
管脚 tsop. 它 是 设计 至 是 reprogrammed 和
erased 在-系统 或者 在-标准 非易失存储器 programmers.
这 标准 mx29f200t/b 提供 进入 时间 作 快
作 55ns, 准许 运作 的 高-速 microproces-
sors 没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention, 这
mx29f200t/b 有 独立的 碎片 使能 (ce) 和 输出
使能 (oe ) 控制.
mxic's flash memories augment 非易失存储器 符合实际
和 在-电路 电的 erasure 和 程序编制. 这
mx29f200t/b 使用 一个 command 寄存器 至 manage 这个
符合实际. 这 command 寄存器 准许 为 100%
特性
• 5.0v±10% 为 读, 擦掉 和 写 运作
• 131072x16/262144x8 switchable
• 快 进入 时间: 55/70/90/120ns
• 低 电源 消耗量
- 40ma 最大 起作用的 current@5mhz
- 1ua 典型 备用物品 电流
• command 寄存器 architecture
- 字节/文字 程序编制 (7us/12us 典型)
- 擦掉 (16k-bytex1, 8k-bytex2, 32k-bytex1, 和
64k-字节 x3)
• 自动 擦掉 (碎片) 和 自动 程序
- automatically 擦掉 任何 结合体 的 sectors 或者
这 全部的 碎片 和 擦掉 suspend 能力.
- automatically 程序 和 核实 数据 在 指定
地址
• 状态 reply
- 数据 polling &放大; toggle 位 为 发现 的 程序
和 擦掉 循环 completion.
• 准备好/busy 管脚(ry/用)
- 提供 一个 硬件 方法 或者 detecting 程序
或者 擦掉 循环 completion
• 兼容性 和 电子元件工业联合会 标准
- 引脚 和 软件 兼容 和 单独的-电源
供应 flash
ttl 水平的 控制 输入 和 fixed 电源 供应 水平
在 擦掉 和 程序编制, 当 维持 maxi-
mum 非易失存储器 兼容性.
mxic flash 技术 reliably stores 记忆 内容
甚至 之后 100,000 擦掉 和 程序 循环. 这 mxic
cell 是 设计 至 优化 这 擦掉 和 程序编制
mechanisms. 在 增加, 这 结合体 的 先进的
tunnel oxide 处理 和 低 内部的 electric 地方 为
擦掉 和 程序编制 行动 生产 可依靠的
cycling. 这 mx29f200t/b 使用 一个 5.0v
±
10% vcc
供应 至 执行 这 高 可靠性 擦掉 和 自动
程序/擦掉 algorithms.
这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是 达到
和 mxic's 专卖的 非-epi 处理. 获得-向上
保护 是 proved 为 压力 向上 至 100 milliamps 在
地址 和 数据 管脚 从 -1v 至 vcc + 1v.
1
p/n:pm0549 rev. 1.3, dec. 24, 2001
mx29f200t/b
2m-位 [256kx8/128kx16] cmos flash 记忆
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