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资料编号:184082
 
资料名称:BU508D
 
文件大小: 162.87K
   
说明
 
介绍:
POWER TRANSISTORS(5A,1500V,125W)
 
 


: 点此下载
 
1
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
概述 描述
highvoltage,高-速度 开关 npn 晶体管 入点
一个 塑料 信封 与 综合 效率 二极管 ,
主要 用于 使用 入点 水平 挠度 circuites 的
颜色 电视 接收器
快速 参考 数据
限制 数值
符号 参数 条件 最小 最大值 单位
v
cesm
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0v 1500 v
v
ce?o
c
收集器 电流 (直流) 8 一个
cm
收集器 电流 peak value 15 一个
p
tot
合计 电源 耗散 t
mb
25 125 w
v
ce?s一个t
集电极-发射极 饱和度 电压
c
= 4.5a; 我
B
= 2.0a 1.5 v
cs一个t
收集器 饱和度 电流 f = 16khz 一个
v
f
二极管 前进 电压
f
=4.0a 2.0 v
t
f
坠落 时间
c
=4.5a,我
B1
=-我
B2
=1.2a,v
抄送
=140V 1.0 s
符号 参数 条件 最小 最大值 单位
v
cesm
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0v 1500 v
v
ce?o
v
ebo
发射器-底座 电压(打开 收集器) 5 v
c
收集器 电流 (直流) 8 一个
B
底座 电流 (直流) 4 一个
Bm
底座 电流 峰值 值 6 一个
p
tot
合计 电源 耗散 Tmb 25 125 w
t
stg
存储 温度 -55 150
t
j
接合点 温度 150
符号 参数 条件 最小 最大值 单位
ce?
集电极-发射极 截止 电流 v
= 0v; v
ce?
= v
cesmm一个x
1.0 ma
ces
v
= 0v; v
ce?
= v
cesmm一个x
2.0 ma
t
j
= 125
v
ce?osust
集电极-发射极 维持 电压
B
= 0a; 我
c
= 100ma v
l = 25mh
v
ce?s一个t
集电极-发射极 饱和度 电压
c
= 4.5a; 我
B
= 2.0a 1.5 v
v
s一个t
基极-发射极 satuation 电压
c
= 4.5a; 我
B
= 2.0a 2.5 v
h
fe?
直流 电流 增益
c
= 1.0a; v
ce?
= 5v 8 30
v
f
二极管 前进 电压
f
=4.0a 2.0 v
f
t
过渡 频率 在 f = 1mhz
c
= 0.1a; v
ce?
= 10v 3 MHz
c
c
收集器 电容 在 f = 1mhz v
cB
= 10v 135 pf
t
s
开关 次(16khz 线 deflecton 电路)
c
=4.5a,我
B1
=-我
B2
=1.2a,v
抄送
=140V 7.0 s
t
f
关闭 存储 时间 关闭 坠落 时间
c
=4.5a,我
B1
=-我
B2
=1.2a,v
抄送
=140V
1.0 s
电气 特性
mt-100
机翼 shing 计算机 组件 一氧化碳., (h.k.)有限公司. 电话:(852)2341 9276 传真:(852)27978153
homepage: http://www.wingshing.com e?-邮件: wsccltd@hkstar.com
BU508D
硅 扩散 电源 晶体管
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