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资料编号:184087
 
资料名称:BU508DW
 
文件大小: 67.34K
   
说明
 
介绍:
Silicon Diffused Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 扩散 电源 晶体管 BU508DW
概述 描述
高 电压, 高速 开关 npn 晶体管 入点 一个 塑料 信封 与 综合 效率 二极管, 主要
用于 使用 入点 水平 挠度 电路 的 颜色 电视 接收器.
快速 参考 数据
符号 参数 条件 典型值 最大值 单位
v
CESM
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0 v - 1500 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 (打开 底座) - 700 v
c
收集器 电流 (直流) - 8 一个
厘米
收集器 电流 峰值 值 - 15 一个
p
tot
合计 电源 耗散 t
mb
25 ˚c - 125 w
v
CEsat
集电极-发射极 饱和度 电压
c
= 4.5 一个; 我
B
= 1.6 一个 - 1.0 v
Csat
收集器 饱和度 电流 f = 16khz 4.5 - 一个
v
f
二极管 前进 电压
f
= 4.5 一个 1.6 2.0 v
t
f
坠落 时间
Csat
= 4.5 一个; f = 16khz 0.7 -
µ
s
固定 - sot429 管脚 配置 符号
管脚 描述
1 底座
2 收集器
3 发射器
选项卡 收集器
限制 数值
限制 数值 入点 符合 与 这 绝对 最大值 评级 系统 (iec 134)
符号 参数 条件 最小值 最大值 单位
v
CESM
集电极-发射极 电压 峰值 值 v
= 0 v - 1500 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 (打开 底座) - 700 v
c
收集器 电流 (直流) - 8 一个
厘米
收集器 电流 峰值 值 - 15 一个
B
底座 电流 (直流) - 4 一个
BM
底座 电流 峰值 值 - 6 一个
p
tot
合计 电源 耗散 t
mb
25 ˚c - 125 w
t
stg
存储 温度 -65 150 ˚C
t
j
接合点 温度 - 150 ˚C
热 电阻
符号 参数 条件 典型值 最大值 单位
th j-mb
接合点 至 安装 底座 - - 1.0 k/w
th j-a
接合点 至 环境 入点 免费 空气 45 - k/w
2
3
1
b
c
e?
july 1998 1 rev 1.200
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