半导体 集团
1 jul-30-1996
bup 314
IGBT
初步 数据
• 低 前进 电压 掉落
• 高 开关 速度
• 低 机尾 电流
• 闩锁 免费
• 雪崩 额定
管脚 1
管脚 2 管脚 3
g c e?
类型
v
ce
我
c
包装 订购 代码
bup 314 1200V 52A 至-218 ab q67040-a4206-a2
最大值 额定值
参数
符号 数值 单位
集电极-发射极 电压
v
ce
1200 v
收集器-闸门 电压
右
通用电气
= 20 k
Ω
v
CGR
1200
栅极-发射极 电压
v
通用电气
± 20
直流 收集器 电流
t
c
= 25 °c
t
c
= 90 °c
我
c
33
52
一个
脉冲 收集器 电流,
t
p
= 1 ms
t
c
= 25 °c
t
c
= 90 °c
我
Cpuls
66
104
雪崩 能源, 单独 脉冲
我
c
= 25 一个,
v
抄送
= 50 v,
右
通用电气
= 25
Ω
l
= 200 µh,
t
j
= 25 °c
e?
作为
65
mJ
电源 耗散
t
c
= 25 °c
p
tot
300
w
芯片 或 操作 温度
t
j
-55 ... + 150 °C
存储 温度
t
stg
-55 ... + 150