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手机版
资料编号:185587
资料名称:
BUZ111SL
文件大小: 120.03K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 集团
1
28/jan/1998
BUZ111SL
SPP80N05L
SIPMOS
®
电源 晶体管
• n 频道
• 增强功能 模式
• 逻辑 水平
• 雪崩-额定
• d
v
/d
t
额定
• 175°c 操作 温度
• 也 入点 smd 可用
管脚 1
管脚 2
管脚 3
g
d
s
类型
v
ds
我
d
右
ds(开启
)
包装
订购 代码
BUZ111SL
55 v
80 一个
0.01
Ω
至-220 ab
q67040-s4003-a2
最大值 额定值
参数
符号
数值
单位
连续 排水管 电流
t
c
= 100 °c
我
d
80
一个
脉冲 排水管 电流
t
c
= 25 °c
我
Dpuls
320
雪崩 能源, 单独 脉冲
我
d
= 80 一个,
v
dd
= 25 v,
右
gs
= 25
Ω
l
= 220 µh,
t
j
= 25 °c
e?
作为
700
mJ
雪崩 电流,有限 由
t
jmax
我
ar
80
一个
雪崩 能源,周期性 有限 由
t
j
最大值
e?
ar
25
mJ
反向 二极管 d
v
/d
t
我
s
= 80 一个,
v
ds
= 40 v,
d
我
f
/d
t
= 200 一个/µs
t
jmax
= 175 °c
d
v
/d
t
6
kv/µs
闸门 来源 电压
v
gs
±
14
v
电源 耗散
t
c
= 25 °c
p
至
t
250
w
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