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特性
•
单独的 供应 电压, 范围 2.7v 至 3.6v
•
单独的 供应 为 读 和 写
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快 读 进入 时间 - 70 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
8k 字节 激励 块 和 lockout
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快 擦掉 循环 时间 - 10 秒
•
字节 用 字节 程序编制 - 30
µ
µµ
µ
s/字节 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
– 25 毫安 起作用的 电流
–50
µ
µµ
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
描述
这 at49bv020 和 这 at49lv020 是 3-volt-仅有的, 2 megabit flash memories
有组织的 作 262,144 words 的 8 位 各自. 制造的 和 atmel's 先进的 非-
易变的 cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至 70 ns 和 电源 dissipa-
tion 的 just 90 mw 在 这 商业的 温度 范围. 当 这 设备 是 dese-
lected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 50
µ
一个.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at49bv/lv020 做 不 需要
高 输入 电压 为 程序编制. 三-volt-仅有的 commands 决定 这 读
和 程序编制 运作 的 这 设备. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的 至
读 从 一个 非易失存储器. reprogramming 这 at49bv/lv020 是 执行 用 eras-
ing 这 全部 2 megabits 的 记忆 和 然后 程序编制 在 一个 字节 用 字节 基准.
这 典型 字节 程序编制 时间 是 一个 快 30
µ
s. 这 终止 的 一个 程序 循环 能 是
optionally 发现 用 这 数据
polling 特性. once 这 终止 的 一个 字节 程序 循环
有 被 发现, 一个 新 进入 为 一个 读 或者 程序 能 begin. 这 典型 num-
ber 的 程序 和 擦掉 循环 是 在 excess 的 10,000 循环.
2-megabit
(256k x 8)
单独的 2.7-volt
电池-电压
™
flash 记忆
AT49BV020
AT49LV020
rev. 0678c–03/98
(持续)
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a17 地址
CE
碎片 使能
OE 输出 使能
我们
写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
plcc 顶 视图
vsop 顶 视图 (8 x 14mm) 或者
tsop 顶 视图 (8 x 20mm)
类型 1