1
特性
•
单独的 供应 为 读 和 写: 2.7 至 3.6v
•
快 读 进入 时间 – 55 ns
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
sector architecture
– 一个 16k 字节 激励 块 和 程序编制 lockout
– 二 8k 字节 参数 blocks
– 二 主要的 记忆 blocks (32k 字节, 64k 字节)
•
快 擦掉 循环 时间 – 3 秒
•
字节-用-字节 程序编制 – 30 µs/字节 典型
•
硬件 数据 保护
•
数据polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
– 15 毫安 起作用的 电流
– 50 µa cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
描述
这 at49bv001a(n)(t) 是 一个 2.7-volt-仅有的 在-系统 reprogrammable flash 记忆.
它的 1 megabit 的 记忆 是 有组织的 作 131,072 words 用 8 位. 制造的 和
atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至
55 ns 和 电源 消耗 的 just 54 mw 在 这 工业的 温度 范围.
1-megabit
(128k x 8)
单独的 2.7-volt
电池-电压
™
flash 记忆
AT49BV001A
AT49BV001AN
AT49BV001AT
AT49BV001ANT
rev. 3364c–flash–9/03
plcc 顶 视图
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a16 地址
CE
碎片 使能
OE 输出 使能
我们
写 使能
重置
重置
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
i/o0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
i/o7
4
3
2
1
32
31
30
14
15
16
17
18
19
20
i/o1
i/o2
地
i/o3
i/o4
i/o5
i/o6
A12
A15
A16
RESET*
VCC
我们
NC
vsop 顶 视图 (8 x 14 mm) 或者
tsop 顶 视图 (8 x 20 mm)
Type1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
NC
我们
VCC
*RESET
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
i/o3
地
i/o2
i/o1
i/o0
A0
A1
A2
A3
便条: *this 管脚 是 一个 nc 在 这 at49bv001an(t).