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资料编号:190477
 
资料名称:BZT03C160
 
文件大小: 67.34K
   
说明
 
介绍:
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
 
 


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bzt03c...
vishay telefunken
rev. 2, 01-apr-99 1 (5)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文档 号码 85599
硅 z–diodes 和 瞬时 电压 suppressors
特性
D
glass 钝化的 接合面
D
hermetically sealed 包装
D
夹紧 时间 在 picoseconds
产品
中等 电源 电压 regulators 和 中等
94 9539
绝对 最大 比率
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 单位
电源 消耗 l=10mm, t
L
=25
°
C P
V
3.25 W
T
amb
=25
°
C P
V
1.3 W
repetitive 顶峰 反转 电源 消耗 P
ZRM
10 W
p
=100
m
s, t
j
=25
°
C P
ZSM
600 W
j
175
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–65...+175
°
C
最大 热的 阻抗
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 标识 单位
接合面 包围的 l=10mm, t
L
=constant R
thJA
46 k/w
在 pc 板 和 间隔 25mm R
thJA
100 k/w
电的 特性
T
j
= 25
_
C
参数 测试 情况 类型 标识 最小值 Typ 最大值 单位
向前 电压 I
F
=0.5a V
F
1.2 V
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