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资料编号:190477
 
资料名称:BZT03C160
 
文件大小: 67.34K
   
说明
 
介绍:
Silicon Z-Diodes and Transient Voltage Suppressors
 
 


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bzt03c...
vishay telefunken
rev. 2, 01-apr-99 1 (5)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600
文件 号码 85599
硅 z–diodes 和 瞬态 电压 抑制器
特点
d
玻璃 钝化 接合点
d
密封 密封 包装
d
夹紧 时间 入点 皮秒
应用程序
中 电源 电压 调节器 和 中
94 9539
绝对 最大值 额定值
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 类型 符号 单位
电源 耗散 l=10mm, t
l
=25
°
c p
v
3.25 w
t
amb
=25
°
c p
v
1.3 w
重复性 峰值 反向 电源 耗散 p
ZRM
10 w
p
=100
m
s, t
j
=25
°
c p
ZSM
600 w
j
175
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65...+175
°
c
最大值 热 电阻
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 符号 单位
接合点 环境 l=10mm, t
l
=constant
thja
46 k/w
开启 pc 板 与 间距 25mm
thja
100 k/w
电气 特性
t
j
= 25
_
c
参数 测试一下 条件 类型 符号 最小 Typ 最大值 单位
前进 电压
f
=0.5a v
f
1.2 v
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