k6r4004c1c-c, k6r4004c1c-i, k6r4004c1c-e
cmos sram
初步的
rev 3.0
- 1 -
march 2000
文档 标题
1mx4 位 高 速 静态的 内存(5v 运行).
运作 在 扩展 和 工业的 温度 范围.
修订 history
这 连结 数据 薄板 是 准备好 和 批准 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. 保留 这 正确的 至 change 这
规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 在 这 参数 的 这个 设备. 如果你 有 任何 ques-
tions, 请 联系 这 samsung branch 办公室 near your 办公室, call 或者 联系 总部.
rev 非.
rev. 0.0
rev. 1.0
rev. 2.0
rev. 3.0
Remark
初步的
初步的
初步的
最终
History
最初的 释放 和 初步的.
1.1 移除 低 电源 版本.
1.2 移除 数据 保持 特性
1.3 changed iSB1至 20ma
2.1 relax d.c 参数.
2.2 relax 绝对 最大 比率.
3.1 delete 初步的
3.2 更新 d.c 参数 和 10ns 部分.
3.3 增加 扩展 温度 范围
Item Previous 电流
ICC
12ns 160mA 190mA
15ns 155mA 185mA
20ns 150mA 180mA
Item Previous 电流
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vss -0.5 至 7.0 -0.5 至 vcc+0.5
Previous 电流
ICC Isb Isb1 ICC Isb Isb1
10ns -
70mA 20mA
160mA
60mA 10mA
12ns 190mA 150mA
15ns 185mA 140mA
20ns 180mA 130mA
draft 数据
二月. 12. 1999
三月. 29. 1999
8月. 19. 1999
三月. 27. 2000
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