k6r1016c1c-c/c-l, k6r1016c1c-i/c-p
cmos sram
修订 4.0
- 1 -
九月 2001
文档 标题
64kx16 位 高-速 cmos 静态的 内存(5.0v 运行).
运作 在 商业的 和 工业的 温度 范围.
修订 history
这 连结 数据 薄板 是 准备好 和 批准 用 samsung electronics. samsung electronics co., 有限公司. 保留 这 正确的 至 change 这
规格. samsung electronics 将 evaluate 和 reply 至 your requests 和 questions 在 这 参数 的 这个 设备. 如果你 有 任何 questions,
请 联系 这 samsung branch 办公室 near your 办公室, call 或者 联系 总部.
rev. 非.
rev. 0.0
rev. 1.0
rev. 2.0
rev. 2.1
rev. 2.2
rev. 3.0
rev. 3.1
rev. 4.0
Remark
初步的
初步的
初步的
最终
最终
最终
最终
最终
History
最初的 释放 和 初步的.
relax 直流 特性.
增加 48-fine 程度 bga.
changed 设备 部分 名字 为 fp-bga.
ex) k6r1016c1c-z -> k6r1016c1c-f
changed 设备 球 名字 为 fp-bga.
增加 数据 保持 特性.
增加 10ns 部分.
delete 20ns 速 bin
Item Previous Changed
ICC 12ns 90mA 95mA
15ns 88mA 93mA
20ns 85mA 90mA
Item Previous Changed
标识 Z F
Previous Changed
i/o1 ~ i/o8 i/o9 ~ i/o16
i/o9 ~ i/o16 i/o1 ~ i/o8
draft 数据
8月. 5. 1998
sep. 7. 1998
sep. 17. 1998
十一月 5. 1998
dec. 10. 1998
三月. 3. 1999
三月. 3. 2000
sep.24. 2001
: 点此下载
