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资料编号:204848
 
资料名称:C62702-C854
 
文件大小: 173.96K
   
说明
 
介绍:
NPN Silicon Darlington Transistors (High current gain Low collector-emitter saturation voltage
 
 


: 点此下载
 
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 集团 1
npn 硅 darlington 晶体管 bc 875
… bc 879
5.91
最大值 额定值
类型 订购 codemarking
包装
1)
管脚 配置
bc 875
bc 877
bc 879
c62702-c853
c62702-c854
c62702-c855
至-92
e? c B
1 2 3
1)
用于 详细 信息 请参见 第章 包装 概述.
2)
如果 晶体管 与 最大值 4 mm 铅 长度 是 固定 开启 pcbs 与 一个 最小值 10 mm
×
10 mm 大型 铜 面积 用于
这 收集器 终端,
thja
= 125 k/w 和 因此
p
tot 最大值
= 1 w 在
t
一个
= 25 ˚c.
3)
已安装 开启 铝 热量 水槽 15 mm
×
25 mm
×
0.5 mm.
参数 符号 数值 单位
集电极-发射极 电压
v
CE0
v
峰值 收集器 电流
厘米
收集器 电流
c
一个
接合点 温度
t
j
˚C
合计 电源 耗散,
t
c
= 90 ˚C
2)
p
tot
w
存储 温度 范围
t
stg
收集器-底座 电压
v
CB0
热 电阻
接合点 - 环境
2)
th ja
156 k/w
1
2
0.8 (1)
150
– 65 … + 150
发射器-底座 电压
v
EB0
底座 电流
B
mA100
45 60
60 80
bc 875 bc 877
峰值 底座 电流
BM
200
80
100
bc 879
5
接合点 - 案例
3)
th jc
75
高 电流 增益
低 集电极-发射极 饱和度 电压
互补 类型: bc 876, bc 878
bc 880 (pnp)
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