3-156
十一月 1996
CA5470
四边形, 14mhz, 微处理器 bimos-e?
运营 放大器 与 场效应晶体管 输入/双极性 输出
特点
• 高 速度 cmos 输入 舞台 提供
- 很 高 z
我
. . . . . . . . . . . . . . . . 5T
Ω
(5 x 10
12
Ω
) (典型值)
- 很 低 l
我
. . . . . . . . . . . 0.5pa (典型值) 在 5v 操作
- 很 低 我
io
. . . . . . . . . 0.5pa (典型值) 在 5v 操作
• esd 保护 至 2000v
• 3v 至 16v 电源 供应 操作
• 完全 保证 特定 结束 已满 军事
范围
• 宽 bw (14mhz); 高 高级 (5v/
µ
s) 在 5v 供应
• 宽 v
lCR
范围 从 -0.5v 至 3.7v (典型值) 在 5v 供应
• 理想情况下 适合 用于 cmos 和 hcmos 应用程序
应用程序
• 酒吧 代码 读者
• 光电二极管 放大器 (红外线)
• 微处理器 缓冲
• 接地 参考 单独 供应 放大器
• 快 样品 和 保持
• 计时器
• 电压 受控 振荡器
• 电压 追随者
• v 至 l 转换器
• 峰值 探测器
• 精度 rectifiers
• 5v 逻辑 系统
• 3v 逻辑 系统
描述
这 ca5470 是 一个 运营 放大器 那 联合收割机 这
优点 的 两者都有 高 速度 cmos 和 双极性 晶体管
开启 一个 单独 单片 芯片. 它 是 已构造 入点 这 bimos-e?
流程 哪个 添加 排水管-分机 implants 至 3
µ
m polygate
cmos, 增强 两者都有 这 电压 能力 和 提供
垂直 双极性 晶体管 用于 宽带 模拟/数字 功能-
区域. 这个 流程 借出 本身 很容易 至 高 速度 运营
放大器, 比较器, 模拟 开关 和 接口 periph-
葬礼, 结果 入点 两次 这 速度 的 这 常规 cmos
晶体管 拥有 类似 功能 尺寸.
bimos-e? 是 broadbased 双极性 晶体管 那 有 高
跨导, 收益 更多 常数 与 电流 水平, 站位-
ble “precision” 基极-发射极 偏移量 电压 和 上级 驱动器
能力. 优秀 接口 与 环境 电位
启用 使用 入点 5v 逻辑 系统 和 未来 3.3v 逻辑 系统.
参考 至 应用程序 备注 an8811.
esd 能力 超过 这 标准 2000v 水平. 这
ca5470 系列 可以 操作 与 单独 供应 电压 从
3v 至 16v 或
±
1.5v 至
±
8v. 他们 有 保证 specifica-
区域 在 两者都有 5v 和
±
7.5v 在 房间 温度 作为 井 作为
结束 这 已满 -55
o
c 至 125
o
c 军事 范围
.
引出线
ca5470 (pdip, soic)
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订购 信息
零件 号码
(品牌)
温度
范围 (
o
c) 包装
pkg.
否.
CA5470E -55 至 125 14 ld pdip e14.3
CA5470M
(5470)
-55 至 125 14 ld soic m14.15
CA5470M96
(5470)
-55 至 125 14 ld soic 胶带
和 卷轴
m14.15
输出 1
尼格. 输入 1
位置. 输入 1
V+
位置. 输入 2
尼格. 输入 2
输出 2
输出 4
尼格. 输入 4
位置. 输入 4
v-
位置. 输入 3
尼格. 输入 3
输出 3
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
14
-
++
-
23
-
++
-
文件 号码
1946.3
注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
1-888-intersil 或 321-724-7143 | 版权 © intersil 公司 1999
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