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资料编号:214335
 
资料名称:CD13005C
 
文件大小: 157.89K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON POWER TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
npn 硅 电源 晶体管 CD13005
至-220
塑料 包装
产品
合适的 为 lighting, 切换 调整器 和 发动机 控制
绝对 最大 比率
描述 标识
集电级 根基 电压
V
CBO
集电级 发射级 (sus) 电压
V
CEO
发射级 根基 电压
V
EBO
集电级 电流 持续的
I
C
顶峰 (1)
I
CM
I
B
顶峰 (1)
I
BM
发射级 电流 持续的
I
E
顶峰 (1)
I
EM
电源 消耗 @ t
一个
=25 ºc
P
D
减额 在之上 25ºc
电源 消耗 @ t
c
=25 ºc
P
D
减额 在之上 25ºc
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
j,
T
stg
热的 阻抗
接合面 至 情况
R
接合面 至 包围的
R
th (j-一个)
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的: 1/8" 从 情况 为 5 秒
(1) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度=5ms, 职责 循环=10%
电的 特性 (t
一个
=25ºc 除非 指定 否则)
描述 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 根基 电压
V
CBO
I
C
=1ma, i
E
=0
600 - - V
集电级 发射级 (sus) 电压
*V
ceo(sus)
I
C
=10ma, i
B
=0
400 - - V
集电级 截 止 电流
I
CBO
V
CB
=600V
,
I
E
=0
- - 1.0 毫安
V
CB
=600V
,
I
E
=0, t
c
=100ºC
5.0 毫安
发射级 截 止 电流
I
EBO
V
EB
=9v, i
C
=0
- - 1.0 毫安
*pulse 测试:- pw=300
µµ
s, 职责 循环=2%
cd13005rev_3 260404e
275 ºC
T
L
单位
V
V
V
一个
一个
一个
W
一个
一个
一个
ºC
ºc/w
ºc/w
600
400
9.0
2.0
4.0
0.75
1.5
- 65 to+150
2.08
89
2.25
4.5
1.4
11.2 mw/ ºc
W
mw/ ºc
60
480
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
页 1 的 4
continental 设备 印度 限制
一个 iso/ts16949 和 iso 9001 certified 公司
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