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TLF5985
CD40106BMCD40106BC 十六进制 施密特 触发器
二月 1988
CD40106BMCD40106BC 十六进制 施密特 触发器
概述 描述
这 CD40106B 十六进制 施密特 触发器 是 一个 单片 comple-
金属 mos (cmos) 综合 电路 已构造 与 n
和 p沟道 增强功能 transistors 这 正 和
负向 阈值 电压 v
t
一个
和 v
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 显示 低
变化 与 尊重 至 温度 (典型值 00005V
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一个
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是
保证
全部 输入 是 保护 从 损伤 到期 至 静态 dis-
费用 由 二极管 卡箍 至 v
dd
和 v
ss

特点
y
宽 供应 电压 范围 3V 至 15V
y
高 噪声 免疫 07 v
dd
(typ)
y
低 电源 风扇 出点 的 2 驾驶 74L
TTL 兼容性 或 1 驾驶 74LS
y
滞后 04 v
dd
(typ)
02 v
dd
保证
y
等效 至 MM54C14MM74C14
y
等效 至 MC14584B
连接 图表
双列直插式 包装
TLF5985–2
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开关 时间 波形
TLF5985–3
t
右
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f
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20 ns
订单 号码 CD40106B
原理图 图表
TLF5985–1
c
1995 国家 半导体 公司 rrd-b30m105printed 入点 U S A

标　题:
内　容:
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TLF5985 CD40106BMCD40106BC 十六进制施密特触发器二月 1988 CD40106BMCD40106BC 十六进制施密特触发器概述描述这 CD40106B 十六进制施密特触发器是一个单片 comple- 金属 mos (cmos) 综合电路已构造与 n 和 p沟道增强功能 transistors 这正和负向阈值电压 v t 一个和 v t b  显示低变化与尊重至温度 (典型值 00005V  Cat v dd e? 10v) 和 hysteresis v t 一个 b v t b t 02 v dd 是保证全部输入是保护从损伤到期至静态 dis- 费用由二极管卡箍至 v dd 和 v ss  特点 y 宽供应电压范围 3V 至 15V y 高噪声免疫 07 v dd (typ) y 低电源风扇出点的 2 驾驶 74L TTL 兼容性或 1 驾驶 74LS y 滞后 04 v dd (typ) 02 v dd 保证 y 等效至 MM54C14MM74C14 y 等效至 MC14584B 连接图表双列直插式包装 TLF5985–2 顶部查看开关时间波形 TLF5985–3 t 右 e? t f e? 20 ns 订单号码 CD40106B 原理图图表 TLF5985–1 c 1995 国家半导体公司 rrd-b30m105printed 入点 U S A

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