最大值 额定值
操作 温度: -65°c 至 +175°c
存储 温度: -65°c 至 +175°c
反向 泄漏 电流
l
右
= 2
µ
一个 @ 25°c &放大器; v
右
= 3 vdc
电气 特性
@ 25°c, 除非 否则 指定.
-55° 至 +100°
CDI 齐纳齐纳最大值电压 有效
类型 电压 测试一下 齐纳 温度 温度
号码 电流 阻抗 稳定性 系数
v
ZT
@ 我
ZT
我
ZT
z
ZT
∆
v
ZT
(备注 1) (备注 2)
伏特 ma 欧姆 mv % / °c
CD821
5.9 - 6.5 7.5 15 96 0.01
CD821A
5.9 - 6.5 7.5 10 96 0.01
CD823
5.9 - 6.5 7.5 15 48 0.005
CD823A
5.9 - 6.5 7.5 10 48 0.005
CD825
5.9 - 6.5 7.5 15 19 0.002
CD825A
5.9 - 6.5 7.5 10 19 0.002
CD826
5.9 - 6.5 7.5 15 20 0.002
CD827
5.9 - 6.5 7.5 15 9 0.001
CD827A
5.9 - 6.5 7.5 10 9 0.001
CD828
6.2 - 6.9 7.5 15 10 0.001
CD829
5.9 - 6.5 7.5 15 5 0.0005
CD829A
5.9 - 6.5 7.5 10 5 0.0005
备注 1
齐纳 阻抗 是 派生的 由 叠加 开启 l
ZT
一个 60hz rms 一个.c.
电流 相等 至 10% 的 l
zt.
备注 2
这 最大值 允许 变更 观察到的 结束 这 整个 温度
范围 我.e?.,这 二极管 电压 将 不 超过 这 指定 mv 在 任何
离散 温度 之间 这 已建立 限制, 按 电子元件工业联合会
标准 否.5.
背面 是 不 阴极
和 必须 是 电气 隔离
t = 金属化 测试一下 衬垫
设计 数据
金属化:
顶部: c (cathode)...................铝
一个 (阳极)...................... 铝
背面: .......................................au
铝 厚度
.........25,000
Å
最小
黄金 厚度
......4,000
Å
最小
芯片 厚度
. ..............10 密耳
电路 布局 数据:
背面 必须 是 电气
隔离.
背面 是 不 阴极.
用于 齐纳 操作 阴极 必须
是 操作 正 与 尊重
至 阳极.
公差:
全部
尺寸 +
2 密耳
• 1n821 直通 1n829 可用 入点
janhc 和 jankc
按 密耳-prf-19500/159
• 单片 温度 已补偿 齐纳 参考 芯片
• 全部 交叉点 完全 保护 与 硅 dioxide
• 电气 等效 至 1n821 直通 1n829
• 兼容 与 全部 电线 搭接 和 模具 附加 技术,
与 这 例外 的 焊料 回流
CD821
直通
CD829A
22 密耳
22 COREY 街道, melrose, MASSACHUSETTS 02176
电话 (781) 665-1071 传真 (781) 665-7379
网站: http://www.cdi-二极管.com e?-邮件: mail@cdi-二极管.com
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