MCH6615
否.6796-1/6
特点
•
这 mch6615 包含 两个 元素 入点 这 相同
包装 哪个 是 n通道 和 p沟道 低
开启 电阻 和 高速 开关 mosfets,
从而 启用 高密度 安装.
•
低 开启-电阻.
•
2.5v 驱动器.
三洋 电动 一氧化碳.,有限公司. 半导体 公司
tokyo 办公室 tokyo bldg., 1-10, 1 chome, ueno, taito-ku, tokyo, 110-8534 日本
MCH6615
包装 尺寸
单位 : mm
2173
[MCH6615]
gi 即时消息
任何 和 全部 三洋 产品 已描述 或 包含 此处 做 不 有 规格 那 可以 手柄
应用程序 那 需要 极其 高 级别 的 可靠性, 这样的 作为 生命支持 系统, 飞机's
控制 系统, 或 其他 应用程序 谁的 故障 可以 是 合理 预期 至 结果 入点 严重
物理 和/或 材料 损伤. 咨询 与 你的 三洋 代表 最近的 你 之前 使用
任何 三洋 产品 已描述 或 包含 此处 入点 这样的 应用程序.
三洋 假设 否 责任 用于 设备 故障 那 结果 从 使用 产品 在 数值 那
超过, 甚至 暂时, 额定 数值 (这样的 作为 最大值 额定值, 操作 条件 ranges, 或 其他
参数) 已列出 入点 产品 规格 的 任何 和 全部 三洋 产品 已描述 或 包含
此处.
n通道 和 p沟道 硅 mosfets
超高-速度 开关 应用程序
1 : source1
2 : gate1
3 : drain2
4 : source2
5 : gate2
6 : drain1
三洋 : mcph6
0.250.25
2.1
1.6
2.0
0.65
0.3
0.85
0.15
0.15
13
2
64
5
规格
绝对 最大值 额定值
在 助教=25
°
c
参数 符号 条件 n通道 p沟道 单位
漏源 电压 v
DSS
30 --30 v
栅极到源极 电压 v
GSS
±
10
±
10 v
排水管 电流 (直流) 我
d
0.65 --0.4 一个
排水管 电流 (脉冲) 我
dp
pw
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1% 2.6 --1.6 一个
允许 电源 耗散 p
d
已安装 开启 一个 陶瓷 板 (900mm
2
✕
0.8mm)1unit
0.8 w
频道 温度 tch 150
°
c
存储 温度 Tstg --55 至 +150
°
c
电气 特性
在 助教=25
°
c
额定值
参数 符号 条件
最小 典型值 最大值
单位
[n-channel]
漏源 击穿 电压 v
(br)dss
我
d
=1ma, v
gs
=0 30 v
零-闸门 电压 排水管 电流 我
DSS
v
ds
=30v, v
gs
=0 10
µ
一个
栅极到源极 泄漏 电流 我
GSS
v
gs
=
±
8v, v
ds
=0
±
10
µ
一个
截止 电压 v
gs
(关) v
ds
=10v, 我
d
=100
µ
一个 0.4 1.3 v
前进 转让 admittance
yfs
v
ds
=10v, 我
d
=150mA 400 560 ms
右
ds
(开启)1 我
d
=150ma, v
gs
=4V 0.9 1.2
Ω
静态 漏源 开启状态 电阻 右
ds
(开启)2 我
d
=80ma, v
gs
=2.5v 1.2 1.7
Ω
右
ds
(开启)3 我
d
=10ma, v
gs
=1.5v 2.6 5.2
Ω
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20101 ts 即时消息 助教-2910
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