CHA2190
参考 : dscha21902036 -05-二月.-02- 1/9 规格 主题 至 变更 无 通知
联合的 单片 半导体 s.一个.s.
路线 départementale 128 - b.p.46 - 91401 orsay cedex 法国
电话. : +33 (0)1 69 33 03 08 - 传真 : +33 (0)1 69 33 03 09
20-30ghz 低 噪声 放大器
自我 有偏见
gaas 单片 微波炉 集成电路
描述
这 电路 是 一个 两个-阶段 自我 有偏见 宽
乐队 单片 低 噪声 放大器.
这 电路 是 已制造 与 一个 标准
hemt 流程 : 0.25µm 闸门 长度, 通过
孔 通过 这 基材, 空气 桥梁 和
电子 梁 闸门 lithography.
它 是 提供的 入点 芯片 窗体.
主 功能
广泛的 乐队 业绩 20-30ghz
2.2db 噪声 图
15db 增益,
±
0.5db 增益 平整度
低 直流 电源 消费, 50ma
20dbm 3rd 订单 截距 点
芯片 尺寸 : 1.670 x 1.03x 0.1mm
主 特性
开启 晶圆 典型
测量
tamb = +25°c
符号 参数 最小 典型值 最大值 单位
nf 噪声 图 在 频率 : 40ghz 2.2 3 db
g 增益 13 15 db
∆
g
增益 平整度
±
.0.5
±
1
db
esd 保护 : 静电 放电 敏感 设备 观察 搬运 注意事项 !
-26
-22
-18
-14
-10
-6
-2
2
6
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18
14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36
频率 ( ghz )
dbsij &放大器; nf ( db )
dBS11 dBS21 dBS22 nf
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