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hm628511hc 系列
4m 高 速度 sram (512-kword
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8-有点)
ade-203-1197 (z)
初步
rev. 0.0
十一月 9, 2000
描述
这 hm628511hc 系列 是 一个 4-mbit 高 速度 静态 ram 有组织的 512-k 字
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8-有点. 它 有 已实现
高 速度 访问权限 时间 由 雇用 cmos 流程 (6-晶体管 记忆 细胞)和 高 速度 电路
设计 技术. 它 是 大多数 适当的 用于 这 应用程序 哪个 需要 高 速度, 高 密度
记忆 和 宽 有点 宽度 配置, 这样的 作为 高速缓存 和 缓冲区 记忆 入点 系统. 它 是 已打包 入点 400-
密耳 36-管脚 塑料 soj.
特点
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单独 5.0 v 供应: 5.0 v ± 10 %
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访问权限 时间: 10 ns (最大值)
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完全 静态 记忆
否 时钟 或 计时 频闪 必填项
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相等 访问权限 和 循环 次
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直接 ttl 兼容
全部 输入 和 产出
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操作 电流: 140 ma (最大值)
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ttl 备用 电流: 40 ma (最大值)
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cmos 备用 电流 : 5 ma (最大值)
: 1.2 ma (最大值) (l-版本)
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数据 retension 电流: 0.8 ma (最大值) (l-version)
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数据 retension 电压: 2 v (最小) (l-版本)
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中心 v
抄送
和 v
ss
类型 引出线
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