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资料编号:233700
 
资料名称:CSC1740O
 
文件大小: 153.47K
   
说明
 
介绍:
NPN EPITAXIAL SILICON PLANAR TRANSISTOR
 
 


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1
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2
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3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
continental 设备 印度 有限
一个 是/iso 9002 和 iecq 已认证 制造商
npn 外延 硅 平面 晶体管 csc 1740
至-92
塑料 包装
概述 小 signal 放大器
绝对 最大值 额定值 (助教=25ºc 除非 指定 否则)
描述 符号 单位
收集器 发射器 电压
BV
CEO
50(ors) v
40(e?)
收集器 底座 电压
BV
CBO
60(ors) v
50(e?)
发射器 底座 电压
BV
EBO
5V
收集器 电流 (直流)
c
150 ma
收集器 电源 耗散
p
c
300 mW
操作 和 存储 接合点
t
j
, t
stg
-55 至 +150 ºC
温度 范围
电气 特性 (助教=25ºc 除非 指定 否则)
描述 符号 测试一下 条件 最小
典型值
最大值 单位
收集器 发射器 电压
v
CEO
c
=1ma,我
B
=0
50(ors) v
40(e?) v
收集器 底座 电压
v
CBO
c
=50
µ
一个,我
e?
=0
60(ors) v
50(e?) v
发射器 底座 电压
v
EBO
e?
=50
µ
一个, 我
c
=0
5
收集器 剪切 关 电流
CBO
v
cb
=30v, 我
e?
= 0
0.5
µ
一个
发射器 剪切 关 电流
EBO
v
=4v, 我
c
= 0
0.5
µ
一个
直流 电流 增益
h
v
ce
=6v,我
c
=0.1ma
120 820
µ
一个
收集器 发射器 饱和度
v
ce(sat)
c
=50ma,我
B
=5.0ma
0.4 v
电压
动态 特性
过渡 频率
f
t
c
=2.0ma, v
ce
=12V
180
MHz
f=100MHz
收集器 输出 电容
c
ob
e?
=0, v
cb
=12V
3.5 pf
f=1MHz
* hfe 分类 : o : 120-270 右 : 180-390 s: 270-560 e:390-820
是/iso 9002
Lic#qsc/l- 000019.2
continental 设备 印度 有限
数据 工作表
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