2m (128k x 16) 静态的 内存
cy62137cv25/30/33 mobl
®
cy62137cv mobl
®
Cypress 半导体 公司
• 3901 北 第一 街道 • San Jose • ca 95134 • 408-943-2600
文档 #: 38-05201 rev. *d 修订 九月 20, 2002
特性
•
非常 高 速: 55 ns 和 70 ns
•
电压 范围:
—
cy62137cv25: 2.2v
–
2.7v
—
cy62137cv30: 2.7v
–
3.3v
—
cy62137cv33: 3.0v
–
3.6v
—
cy62137cv: 2.7v
–
3.6v
•
管脚-兼容 和 这 cy62137v
•
过激-低 起作用的 电源
—
典型 起作用的 电流: 1.5 毫安 @ f = 1 mhz
—
典型 起作用的 电流: 5.5 毫安 @ f = f
最大值
(70-ns
速)
•
低 和 过激-低 备用物品 电源
•
容易 记忆 expansion 和 ce
和 oe特性
•
自动 电源-向下 当 deselected
•
cmos 为 最佳的 速/电源
•
包装 offered 在 一个 48-球 fbga
函数的 描述
[1]
这 cy62137cv25/30/33 和 cy62137cv 是 高-perfor-
mance cmos 静态的 rams 有组织的 作 128k words 用 16
位. 这些 设备 特性 先进的 电路 设计 至 提供
过激-低 起作用的 电流. 这个 是 完美的 为 供应 更多 电池
生命
™
(mobl
®
) 在 可携带的 产品 此类 作 cellular tele-
phones. 这 设备 也 有 一个 自动 电源-向下 fea-
ture 那 significantly 减少 电源 消耗量 用 80%
当 地址 是 不 toggling. 这 设备 能 也 是 放
在 备用物品 模式 减少 电源 消耗量 用 更多 比
99% 当 deselected (ce
高 或者 两个都 ble和 bhe是
高). 这 输入/输出 管脚 (i/o
0
通过 i/o
15
) 是 放置
在 一个 高-阻抗 状态 当: deselected (ce
高), 输出-
puts 是 无能 (oe高), 两个都 字节 高 使能 和 字节
低 使能 是 无能 (bhe
, ble高), 或者 在 一个 写
运作 (ce
低, 和 我们低).
writing 至 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片 使能
(ce
) 和 写 使能 (我们) 输入 低. 如果 字节 低 使能
(ble) 是 低, 然后 数据 从 i/o 管脚 (i/o
0
通过 i/o
7
), 是
写 在 这 location 指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
16
). 如果 字节 高 使能 (bhe) 是 低, 然后 数据
从 i/o 管脚 (i/o
8
通过 i/o
15
) 是 写 在 这 location
指定 在 这 地址 管脚 (一个
0
通过 一个
16
).
读 从 这 设备 是 accomplished 用 带去 碎片
使能 (ce
) 和 输出 使能 (oe) 低 当 forcing 这
写 使能 (我们
) 高. 如果 字节 低 使能 (ble) 是 低,
然后 数据 从 这 记忆 location 指定 用 这 地址
管脚 将 呈现 在 i/o
0
至 i/o
7
. 如果 字节 高 使能 (bhe) 是
低, 然后 数据 从 记忆 将 呈现 在 i/o
8
至 i/o
15
. 看
这 真实 表格 在 这 后面的 的 这个 数据 薄板 为 一个 完全
描述 的 读 和 写 模式.
便条:
1. 为 最好的 实践 recommendations, 请 谈及 至 这 cypress 应用 便条
“
系统 设计 指导原则
”
在 http://www.cypress.com.
逻辑 块 图解
128k x 16
内存 排列
i/o
0
–
i/o
7
行 解码器
一个
8
一个
7
一个
6
一个
5
一个
2
column 解码器
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
2048 x 1024
sense 放大器
数据 在 驱动器
OE
一个
4
一个
3
i/o
8
–
i/o
15
CE
我们
BLE
BHE
一个
16
一个
0
一个
1
一个
9
电源 -向下
电路
BHE
BLE
CE
一个
10
10
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