最大值 额定值
(t
一个
=25
o
c)
符号 CXT
A42 CXTA92 单位
收集器-底座 电压 v
CBO
300 300 v
集电极-发射极 电压 v
CEO
300 300 v
发射器-底座 电压 v
EBO
6.0 5.0 v
收集器 电流 我
c
500 ma
电源 耗散 p
d
1.2 w
操作 和 存储
接合点 温度 t
j
,t
stg
-65 至 +150
o
c
热 电阻
Θ
ja
104
o
c/w
电气 特性
(t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明)
CXTA42 CXTA92
符号 测试一下 条件 最小 最大值 最小 最大值 单位
我
CBO
v
cb
=200V 100 250 不适用
我
eb
ov
是
=6.0v 100 - 不适用
我
EBO
v
是
=3.0v - 100 不适用
BV
CBO
我
c
=100mA 300 300 v
BV
CEO
我
c
=1.0ma 300 300 v
BV
EBO
我
e?
=100
µ
一个 6.0 5.0 v
v
ce(sat)
我
c
=20ma, 我
B
=2.0ma 0.5 0.5 v
v
是(sat)
我
c
=20ma, 我
B
=2.0ma 0.9 0.9 v
h
铁
v
ce
=10v, 我
c
=1.0ma 25 25
h
铁
v
ce
=10v, 我
c
=10mA 40 40
h
铁
v
ce
=10v, 我
c
=30mA 40 25
f
t
v
ce
=20v, 我
c
=10ma, f=100mhz 50 50 MHz
c
ob
v
cb
=20v, 我
e?
=0, f=1.0mhz 3.0 6.0 pf
cxta42 npn
cxta92 pnp
表面 安装
硅 高 电压
晶体管
sot-89 案例
中央
半导体 corp.
tm
r3( 19-12月 2001)
描述:
这 中央 半导体 cxta42,
cxta92 类型 是 互补 表面
安装 环氧树脂 模制 硅 平面 外延
晶体管 设计 用于 高 电压 应用程序.
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