D1004UK
prelim. 6/99
semelab plc.
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P
D
电源 消耗
BV
DSS
流 – 源 损坏 电压
BV
GSS
门 – 源 损坏 电压
I
d(sat)
流 电流
T
stg
存储 温度
T
j
最大 运行 接合面 温度
175W
70V
±20V
20A
–65 至 150°c
200°C
机械的 数据
B
C
一个
D
(2 pls)
E
F
G
H
I
J
KM N
1
4
3
2
5
金 metallised
multi-目的 硅
dmos rf 场效应晶体管
80w – 28v – 175mhz
单独的 结束
特性
• simplified 放大器 设计
• 合适的 为 broad 带宽 产品
•low c
rss
• 简单的 偏差 电路
• 低 噪音
• 高 增益 – 16 db 最小
DT
管脚 1 源 (一般)
管脚 3 源 (一般)
管脚 5 流
管脚 2 门
管脚 4 源 (一般)
绝对 最大 比率
(t
情况
= 25°c 除非 否则 陈述)
产品
•
hf/vhf communications
从 1 mhz 至 175 mhz
metal 门 rf 硅 场效应晶体管
TetraFET
DIM mm tol. 英寸 tol.
一个 6.35 dia 0.13 0.250 dia 0.005
B 3.17 dia 0.13 0.125 dia 0.005
C 18.41 0.25 0.725 0.010
D 5.46 0.13 0.215 0.005
E 5.21 0.13 0.205 0.005
F 7.62 最大值 0.300 最大值
G 21.59 0.38 0.850 0.015
H 3.94 0.13 0.155 0.005
I 12.70 0.13 0.500 0.005
J 0.13 0.03 0.005 0.001
K 24.76 0.13 0.975 0.005
M 2.59 0.13 0.102 0.005
N 4.06 0.25 0.160 0.010
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