eroflex 电路 技术 - 高级 多芯片 模块 © scd3369-1 rev c 5/31/00
块 图表
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6 低 电源 微米 1m x 16 同步 动态
随机 访问权限 记忆 芯片 入点 一个 mcm
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用户 configureable 作为 "2" 独立 512k x 48 x 2
银行
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高-速度, 低-噪声, 低电压 ttl (lvttl)
接口
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3.3-v 电源 供应 (
±
10% 公差)
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分开 逻辑 和 输出 驾驶员 电源 针脚
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两个 银行 用于 片上 交错 (无间隙
访问权限)
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向上 至 50-mhz 数据 费率
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cas 延迟 (cl) 可编程 至 2 循环次数 从
列地址 进入
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突发 长度 可编程 至 4 或 8
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管道 体系结构
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逐周期 dq-总线 写 面具 能力 与
上部 和 下部 字节 控制
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芯片 选择 和 时钟 启用 用于 增强型-系统
接口
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串行 突发 顺序
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自动刷新
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4k 刷新 (合计 用于 两者都有 银行)
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200-铅 cqfp, 空腔-向上 包装
交流电t-d1m96s 高 速度
多芯片 模块
特点
概述 描述
这 act-d1m96s 设备 是 一个 高速 96mbit 同步 动态 随机 访问权限 记忆 (sdram)
有组织的 作为 2 独立 512k x 48 x 2 银行. 全部 输入 和 产出 的 这 act-d1m96s 是 兼容
与 这 lvttl 接口. 全部 输入 和 产出 是 已同步 与 这 clk 输入 至 简化 系统 设计
和 增强 使用 与 高速 微处理器 和 缓存.
96 兆位 3.3v 同步 dram
B
ank
B
DQ
16-31
16
DQ
0-15
DQ
32-47
CS1
CLK1
CKE1
DQMU1
DQML1
RAS1
CAS1
WE1
a0-a11
1616
DQ
64-79
16
DQ
48-63
DQ
80-95
CS2
CLK2
CKE2
DQMU2
DQML2
RAS2
CAS2
WE2
ba0-ba11
1616
B
ank
t
1m x 16 或
512k x 16 x 2 银行
1m x 16 或
512k x 16 x 2 银行
1m x 16 或
512k x 16 x 2 银行
B
ank
B
B
ank
t
1m x 16 或
512k x 16 x 2 银行
1m x 16 或
512k x 16 x 2 银行
1m x 16 或
512k x 16 x 2 银行
12
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