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资料编号:244027
 
资料名称:IRF7324D1TR
 
文件大小: 164.18K
   
说明
 
介绍:
FETKY MOSFET / Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 1
参数 最大值 单位
d
@ t
一个
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@4.5v
-2.9 一个
d
@ t
一个
= 70°c -2.3
dm
脉冲 排水管 电流
-23
p
d
@T
一个
= 25°c 电源耗散
2.0 w
p
d
@T
一个
= 70°c 1.3
线性 降额 因素 16 mw/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 12 v
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
-5.0 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
IRF7324D1
初步
pd- 91789
FETKY


重复性 评级; 脉冲 宽度 有限 由 最大值 接合点 温度 (请参见 图 11)
sd
-2.2a, di/dt
-50a/µs, v
dd
v
(br)dss
, t
j
150°C
脉冲 宽度
300µs; 职责 循环
2%
表面 已安装 开启 右前-4 板, t
10sec.
参数 最大值 单位
θ
ja
交叉点到环境
62.5 °c/w
绝对 最大值 额定值
(t
一个
= 25°c 除非 否则 已注明)
热 电阻 额定值
FETKY
家庭 的 一氧化碳-已打包 hexfets 和 肖特基 二极管 报价
这 设计师 一个 创新 板 空间 正在保存 解决方案 用于 开关
调节器 应用程序. 世代 5 hexfets 利用 高级 加工
技术 至 实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 组合
这个 技术 与 国际 整流器's 低 前进 掉落 肖特基
整流器 结果 入点 一个 极其 高效 设备 适合 用于 使用 入点 一个 宽
品种 的 便携式 电子产品 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制 引线框架 用于 增强型
热 特性. 这 所以-8 包装 是 设计 用于 蒸气 相位,
红外线 或 波浪 焊接 技术.
描述
v
DSS
= -20v
ds(开启)
= 0.18
肖特基 vf = 0.39v
所以-8
tm
顶部 查看
8
1
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5
6
7
一个
一个
s
g
d
d
k
k
一氧化碳-已打包 hexfet
电源
场效应晶体管 和 肖特基 二极管
理想 用于 移动电话 电话 应用程序
世代 v 技术
所以-8 占地面积
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