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预付款 信息
january 1998 订单 号码: 290606-004
n
高密度 对称-已阻塞
体系结构
64 128-kbyte 擦除 块 (64 m)
32 128-kbyte 擦除 块 (32 m)
n
5 v v
抄送
操作
2.7 v 我/o 有能力
n
可配置 x8 或 x16 我/o
n
120 ns 阅读 访问权限 时间 (32 m)
150 ns 阅读 访问权限 时间 (64 m)
n
增强型 数据 保护 特点
绝对 保护 与
v
钢笔
= 地
灵活 块 锁定
块 擦除/程序 上锁
期间 电源 过渡
n
行业标准 包装
µbga* 包装, ssop 和 tsop
软件包 (32 m)
n
十字形-兼容 命令 支持
英特尔 基本 命令 设置
普通 闪光灯 接口
scaleable 命令 设置
n
32-字节 写 缓冲区
6 µs 按 字节 有效
编程 时间
n
640,000 合计 擦除 循环次数 (64 m)
320,000 合计 擦除 循环次数 (32 m)
10,000 擦除 循环次数 按 块
n
自动化 挂起 选项
块 擦除 挂起 至 阅读
块 擦除 挂起 至 程序
n
系统 业绩 增强功能
sts 状态 输出
n
英特尔 strataflash™ 记忆 闪光灯
技术
capitalizing 开启 两个-有点-按-细胞 技术, 英特尔 strataflash™ 记忆 产品 提供 2x 这 比特 入点 1x 这
空间. 提供 入点 64-mbit (8-mbyte) 和 32-mbit (4-mbyte) densities, 英特尔 strataflash 记忆 设备 是
这 第一 至 带来 可靠, 两个-有点-按-细胞 存储 技术 至 这 闪光灯 市场.
英特尔 strataflash 记忆 好处 包括: 更多 密度 入点 较少 空间, 最低 成本-按-有点 也没有 设备,
支持 用于 代码 和 数据 存储, 和 容易 迁移 至 未来 设备.
使用 这 相同 也没有-基于 etox™ 技术 作为 英特尔’s 一个-有点-按-细胞 产品, 英特尔 strataflash
记忆
设备 采取 优势 的 400 百万 单位 的 制造业 经验 自 1988. 作为 一个 结果,
英特尔 strataflash 组件 是 理想 用于 代码 或 数据 应用程序 在哪里 高 密度 和 低 成本 是
必填项. 示例 包括 联网, 电信, 音频 录音, 和 数字 imaging.
由 申请 flashfile™ 记忆 家庭 引出线, 英特尔 strataflash 记忆 组件 允许 容易 设计
迁移 从 现有 28f016sa/sv, 28f032sa, 和 字宽 flashfile 记忆 设备 (28f160s5
和 28f320s5).
英特尔 strataflash 记忆 组件 交付 一个 新建 世代 的 前进-兼容 软件 支持. 由
使用 这 普通 闪光灯 接口 (cfi) 和 这 scaleable 命令 设置 (scs), 客户 可以 采取
优势 的 密度 升级 和 优化 写 能力 的 未来 英特尔 strataflash 记忆 设备.
已制造 开启 英特尔’s 0.4 微米 etox™ v 流程 技术, 英特尔 strataflash 记忆 提供 这
最高 级别 的 质量 和 可靠性.
英特尔 strataflash™ 记忆 技术
32 和 64 mbit
28f320j5 和 28f640j5
: 点此下载
